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MMBTA42 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42图片预览
型号: MMBTA42
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内容描述: NPN高电压放大器 [NPN High Voltage Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 3 页 / 177 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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BL
银河电子
NPN高电压放大器
特点
外延平面模施工。
互补PNP类型可用
(MMBTA92).
适用于中等功率放大和转换。
产品规格
MMBTA42
Pb
LEAD -FREE
应用
NPN型高压放大器。
SOT-23
订购信息
型号
MMBTA42
记号
1D
封装代码
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
,T
英镑
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
ob
f
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温和存储温度
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
TEST
条件
价值
300
300
6
0.2
0.35
-55-150
分钟。
300
300
6
-
-
25
40
40
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
-
-
-
0.5
0.9
3.0
50
-
V
V
pF
兆赫
单位
V
V
V
A
W
°C
单位
V
V
V
μA
μA
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1.0mA,I
B
=0
B
I
E
=100μA,I
C
=0
I
E
= 0; V
CB
= 200V
I
C
= 0; V
EB
= 6V
V
CE
= 10V ;我
C
=1mA
V
CE
=10V;I
C
=10mA
V
CE
=10V;I
C
=30mA
I
C
= 20mA下;我
B
=2mA
B
I
C
= 20mA下;我
B
=2mA
B
V
CB
=20V,I
E
=0;f=1.0MHz
I
C
= 10毫安; V
CE
=20V
f=100MHz
文件编号: BL / SSSTC076
Rev.A的
www.galaxycn.com
1