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MB6S图片预览
型号: MB6S
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内容描述: 硅桥式整流器 [SILICON BRIDGE RECTIFIERS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 119 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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收视率和特性曲线
峰值脉冲功率(P )或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
,峰值脉冲功率,千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比, %
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ,脉宽,美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度( TD )
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50%的
I
PPM
TA ,环境温度。
I
PPM
,峰值脉冲电流, %
tr=10¦
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
ħ HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
,结电容, pF的
10/1000¦
Μ
š EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T,时间,ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M( AV)在
, STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压,V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散,W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
( 40 ×40× 1毫米。 )
铜散热器
V
( BA )
,击穿电压,V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
,焊接温度,
I
D
,瞬时反向
I
FSM
,峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流,
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC (E S)
S T A N ð - O F F V Ø L T A G E,
V女男
目前,A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
( JEDEC的方法)
10
1
0 .1
T
A
= 25
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
( BR )
,击穿电压,V
循环次数在60赫兹
www.galaxycn.com
文档编号0285011
BL
银河电子
4.