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BAV20.TR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BAV20.TR
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内容描述: [Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35]
分类和应用: 信号二极管
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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BAV19 / BAV20 / BAV21
BAV19 / 20/21
DO-35
颜色频带为负极
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
BAV19
BAV20
BAV21
价值
120
200
250
200
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
V
V
mA
A
A
°C
°C
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
500
300
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
参数
击穿电压
BAV19
BAV20
BAV21
测试条件
I
R
= 100
µA
I
R
= 100
µA
I
R
= 100
µA
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 100 V
V
R
= 100 V,T
A
= 150°C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V,T
A
= 150°C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V,T
A
= 150°C
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
I
F
= I
R
= 30 mA时,我
RR
= 3.0毫安,
R
L
= 100Ω
120
200
250
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
µA
nA
µA
nA
µA
pF
ns
V
F
I
R
正向电压
反向电流
BAV19
BAV20
BAV21
C
T
t
rr
总电容
反向恢复时间
1.0
1.25
100
100
100
100
100
100
5.0
50
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BAV19 / 20/21 ,版本C