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1N5342B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5342B
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内容描述: 齐纳二极管 [ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小: 5 页 / 277 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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电气特性
TYPE
(注1 )
齐纳电压
(注2 )
V
Z
@I
ZT
V
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
(T
A
=25℃)
最大反向漏
当前
I
R
µA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大齐纳
阻抗
(注2 )
Z
ZT
@I
ZT
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
I
ZT
mA
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
Z
ZT
@I
ZK
=1µA
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
V
R
V
51.7
56.0
62.2
66.0
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
I
ZM
I
R
V
Z
(注3 ) (注4 ) (注5 )
A
V
mA
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.0
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43.0
39.5
36.6
34.0
31.6
29.4
28.0
26.4
25.0
23.6
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
注意:
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1.TOLERANCE和电压的指派 - 所显示的JEDEC类型的数字表示在± 10%的公差与仅Vz的保证的限制,我
R
,Ir和
V
F
所示的电特性表。单位上的所有七个参数保证的限制由后缀"B"表示为± 5 %的容差。
2.ZENER电压( VZ)的和阻抗(Z
ZT
&放大器; ž
ZK
) - 是齐纳电压和阻抗的试验条件如下; IZ被施加40 ± 10ms的前
读数。安装触头位于从安装夹到二极管的本体的内边缘。
3.SURGE电流( Ir)的 - 浪涌电流被指定为允许的最大峰值,非经常性的方波电流的脉冲宽度8.3ms的的, PW 。
在图5中给出的数据可以被用来找到最大浪涌电流为1毫秒之间的任何脉冲宽度的单方波通过绘制适用
在对数坐标纸上点。这样的例子,利用6.8V和200V的齐纳二极管,示于图6的安装接触位于在注3指定。
4.VOLTAGE规( Vz的) - 是用于电压调节的试验条件如下: Vz的测量是在IZ最大值的50%,制成以10 %,然后
在电气特性表中列出的值。测试电流是相同的为5%和10 %的容差的设备。测试电流时druation的
每个Vz的测量是40 ± 10ms.Mounting接触坐落在注2中指定。
5.MAXIMUM稳压器电流(I
ZM
) - 所示的是基于5%的式单元的最大电压的最大电流。因此,它仅适用于
B超后缀设备。实际我
ZM
对于任何设备可能不超过5瓦的实际划分Vzof的设备的值。中T = 75 ℃时8"分之3从最高
L
装置主体。
文档编号0284007
BL
银河电子
3.