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AP2138R-2.5TRG1 参数 Datasheet PDF下载

AP2138R-2.5TRG1图片预览
型号: AP2138R-2.5TRG1
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内容描述: 超低静态电流LDO CMOS [ULTRA LOW QUIESCENT CURRENT CMOS LDO]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 988 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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数据表
超低静态电流LDO CMOS
绝对最大额定值(注1 )
参数
输入电压
使能输入电压( AP2139 )
焊接温度
结温
存储温度范围
ESD(机器型号)
ESD(人体模型)
热阻(注2 )
符号
V
IN
V
CE
T
领导
T
J
T
英镑
ESD
ESD
θ
JA
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-89
价值
7.0
-0.3到V
IN
+0.3
260
150
-65到150
350
2000
250
250
165
o
C / W
AP2138/2139
单位
V
V
o
o
C
C
o
C
V
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。电气特性
其工作收视率之外运行设备时,系统蒸发散不适用。最大允许功耗是
的最高结温, T功能
J(下最大) ,
结点至环境热阻,
θ
JA ,
和环境温
perature ,T
A.
在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式:P
D(最大)
=(T
J(下最大)
-
T
A
)/θ
JA 。
超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作环境温度范围
符号
V
IN
T
A
2.5
-40
最大
6.6
85
单位
V
o
C
2012年7月修订版2.3
6
BCD半导体制造有限公司