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AH921Z3-G1 参数 Datasheet PDF下载

AH921Z3-G1图片预览
型号: AH921Z3-G1
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内容描述: 高灵敏度CMOS霍尔效应锁存 [HIGH SENSITIVITY CMOS HALL-EFFECT LATCH]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 469 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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初步数据表
高灵敏度CMOS霍尔效应锁存
磁特性(续)
AH921
图6.磁阈值
注2 : B
OP
通过把设备下磁场B席卷确定
RP
(分) B
OP
(最大值),直到
输出接通。
注3 : B
RP
通过把设备下磁场B席卷确定
OP
(最大值)为B
RP
(最小值) ,直到
输出被关断。
测试电路和测试条件
图7. AH921的测试电路
2010年6月
修订版1.0
7
BCD半导体制造有限公司