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AH287Z4-E1 参数 Datasheet PDF下载

AH287Z4-E1图片预览
型号: AH287Z4-E1
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内容描述: 与LOCKED保护两相霍尔效应锁存 [TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH LOCKED PROTECTION]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 330 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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初步数据表
与LOCKED保护两相霍尔效应锁存
AH287
电气特性
V
CC
= 14V ,T
A
= 25 ℃,除非另有规定。
参数
符号
条件
B>150高斯,V
CC
=5V,
V
DOB
=V
CC
, I
DO
=100mA
(或B \u003c -150高斯,V
CC
=5V,
V
DO
= V
CC
, I
DOB
=100mA)
B>150高斯,
V
DOB
= V
CC
, I
DO
=350mA
(或乙\u003c -150高斯,
V
DO
= V
CC
, I
DOB
=350mA)
B>150高斯,V
DOB
=V
CC
(或B \u003c -150高斯,V
DO
=V
CC
)
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
典型值
1
最大
1.25
单位
V
输出饱和
电压
V
SAT
1.2
1.45
V
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
开关时间
迪FF erential
输出稳压
击穿电压
充电电流
放电电流
钳位电压
电压比较器
I
CC
tr
tf
∆t
V
Z
I
CHG
I
DHG
V
CL
V
CP
5
3
0.3
3
55
8
10
1.5
10
mA
µs
µs
µs
V
µA
µA
V
V
V
CT
= 1至2.5V
V
CT
= 3.5〜 2.5V
限制电压
限制电压
5
0.5
3.2
2.2
2008年5月
修订版1.0
5
BCD半导体制造有限公司