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    AH211 参数 Datasheet PDF下载

    AH211图片预览
    型号： AH211
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    内容描述： 两相霍尔效应锁存器中FG输出 [TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH FG OUTPUT]
    分类和应用： 锁存器输出元件
    文件页数/大小： 11 页 / 192 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AH211的Datasheet PDF文件第10页  
    Data Sheet
    TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH FG OUTPUT
    Magnetic Characteristics (Continued)
    AH211
    +14V
    S
    FG
    AH211
    DO
    DOB
    GND
    Marking Side
    R1
    1kΩ
    R2
    1kΩ
    R3
    1kΩ
    1
    2
    3
    4
    FG (V
    FG
    )
    DO (V
    OUT1
    )
    DOB (V
    OUT2
    )
    N
    C1
    C2
    C3
    10pF 10pF 10pF
    Figure 4. Basic Test Circuit
    DO (V)
    16
    DOB (V)
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    -20
    0
    20
    40
    V
    CC
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    V
    CC
    V
    SAT
    20
    40
    V
    SAT
    -40
    -40
    -20
    0
    Magnetic Flux Density B (Gauss)
    Magnetic Flux Density B (Gauss)
    Figure 5. V
    DO
    vs. Magnetic Flux Density
    Figure 6. V
    DOB
    vs. Magnetic Flux Density
    Mar. 2007 Rev. 1.3
    6
    BCD Semiconductor Manufacturing Limited

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