绝对最大额定值
存储温度................................................ ......... -40 ° C至+ 125°C
电源电压，V
S
.................................................. .................... -0.5至6V
变送器的输入电压，V
I
............................................. -0.5到V
S
+ 0.5V
接收器输出电压，V
O
............................................. -0.5到V
S
+ 0.5V
R / T
X
输入................................................. ........................ -0.5到V
S
+ 0.5V
隔离电压的dV / dt ，V
ISO
.................................................. .......... 500千伏/微秒
D
X
接地短路............................................... .......................连续
结温，T
J
.................................................................... 175°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... .......... 260℃
1.6毫米以下座位平面（ DIP封装） ......................................... 300℃
包装信息
(1)
模型
ISO150AP
ISO150AU
包
24针单宽DIP
28引脚SOIC
封装图
数
243-1
217-2
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅结束
数据表，或的Burr-Brown IC数据手册附录D 。
引脚说明
名字
功能
在数据或数据出来收发器1A 。 R / T
1A
举行
低使得ð
1A
一个输入管脚。
接收/发射开关控制收发器1A 。
+ 5V电源引脚端A，该权力收发器
如图1A和2A 。
接地引脚收发器1B和2B 。
接收/发射开关控制收发器1B 。
在数据或数据出来收发器1B 。 R / T
1B
举行
低使得ð
1B
一个输入管脚。
在数据或数据出来收发2B 。 R / T
2B
举行
低使得ð
2B
一个输入管脚。
接收/发射开关控制d
2B
.
+ 5V电源引脚端B的权力收发器
图1B和2B所示。
接地引脚收发器的1A和2A 。
接收/发射开关控制收发器2A 。
在数据或数据出来收发器2A 。 R / T
2A
举行
低使得ð
2A
在输入引脚。
D
1A
引脚配置
顶视图
DIP
R / T
1A
V
SA
D
1A
1
R / T
1A
2
V
SA
3
24 D
2A
23 R / T
2A
22 G
A
G
B
R / T
1B
D
1B
D
2B
R / T
2B
V
SB
G
A
R / T
2A
D
2A
G
B
10
R / T
1B
11
D
1B
12
15 V
SB
14 R / T
2B
13 D
2B
静电
放电敏感度
SOIC
顶视图
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
D
1A
1
R / T
1A
2
V
SA
3
28 D
2A
27 R / T
2A
26 G
A
G
B
12
R / T
1B
13
D
1B
14
17 V
SB
16 R / T
2B
15 D
2B
®
3
ISO150
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
