应用信息
图1示出操作所需的基本连接
的INA128 / INA129 。与嘈杂的或高的应用
阻抗的电源，可能需要去耦电容
器靠近器件的引脚，如图所示。
输出被称为输出参考（参考文献）终端
这通常是接地的。这必须是低阻抗的
连接，以保证良好的共模抑制比。一个电阻
8Ω的tance串联REF引脚会引起典型的
设备降解为约80分贝CMR （G = 1）。
设定增益
增益是通过连接一个外部电阻，R集
G
,
连接引脚1和8之间：
INA128 ：
准确的绝对值。的精度和温度
这些内部电阻系数被包括在增益
精确度和漂移规范INA128 / INA129的。
外部增益的稳定性和温度漂移
设置电阻，R
G
，也影响收益。 ř
G
的贡献，以
增益准确度和漂移可以从增益直接推断
等式（1） 。需要高增益低电阻值可以
使布线电阻非常重要的。插座添加到布线
性，这将有助于更多的增益误差（ possi-
在约100或收益布莱不稳定的增益误差）
更大的。
动态性能
典型的性能曲线“增益与频率”节目
，尽管它的低静态电流， INA128 / INA129
实现了宽的带宽，即使在高增益。这是由于
输入级电路的电流反馈拓扑。
建立时间也保持优异的高增益。
噪声性能
该INA128 / INA129提供了大多数应用程序非常低的噪声
阳离子。低频噪声大约是0.2μVp -P
0.1测到10Hz （G
≥
100）。这提供
相比先进的，任何─显着改善噪音
艺术斩波稳定放大器。
V+
0.1µF
G
=
1
+
50kΩ
R
G
49. 4kΩ
R
G
(1)
INA129 ：
G
= 1+
(2)
通常使用的增益和电阻值示于
图1 。
在50kΩ的术语在等式1 （ 49.4kΩ在式2）来
从A的两个内部反馈电阻的总和
1
和
A
2
。这些片上的金属膜电阻经过激光调整，
INA128 ：
G=1+
50kΩ
R
G
INA129 ：
G=1+
49.4kΩ
R
G
–
V
IN
2
过电压
保护
7
INA128 ， INA129
A
1
40kΩ
25kΩ
(1)
R
G
8
25kΩ
(1)
A
2
40kΩ
40kΩ
5
REF
A
3
6
+
INA128
所需
GAIN （V / V）
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
R
G
(
Ω
)
NC
50.00k
12.50k
5.556k
2.632k
1.02k
505.1
251.3
100.2
50.05
25.01
10.00
5.001
最近的
1% R
G
(
Ω
)
NC
49.9k
12.4k
5.62k
2.61k
1.02k
511
249
100
49.9
24.9
10
4.99
R
G
(
Ω
)
INA129
最近的
1% R
G
(
Ω
)
NC
49.9k
12.4k
5.49k
2.61k
1k
499
249
100
49.9
24.9
9.76
4.87
1
40kΩ
–
V
O
= G • （V
IN
– V
IN
)
+
NC
49.4k
12.35k
5489
2600
1008
499
248
99
49.5
24.7
9.88
4.94
负载V
O
–
+
V
IN
3
过电压
保护
4
注： （ 1 ） INA129 ： 24.7kΩ
V–
还制定简化形式：
–
V
IN
R
G
+
V
IN
INA128
REF
V
O
0.1µF
NC ：无连接。
图1.基本的连接。
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
