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FDMS0306AS

N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V,49A,2.4mΩ
开关脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GRM43RR72A184KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

ATP113-TL-H

P 沟道,功率 MOSFET,-60V,-35A,29.5mΩ
PC仪表
0 ONSEMI

GRM32DR7LV104KW01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCE188R71H123MA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM22M5C2H3R6BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDMD8630

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30 V, 167 A,1.0 mΩ
暂无信息
1 ONSEMI

PMH1200UPE

30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

GRM155R71H273KE14#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IQE013N04LM6SC

英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品, PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V:IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片,该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫与 PCB 连接。因此,它具有几点优势,如热能力增强,先进的功率密度,或具有改善板上布局的可能性。
PC
0 INFINEON

GQM1875G2E5R8BB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E300JB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BM61M22BFJ-C

本品为内置绝缘电压2500Vrms、最大输入输出延迟时间60ns、最小输入脉冲宽度60ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置低电压时误动作防止功能(UVLO)。
栅极驱动脉冲驱动器
0 ROHM

BM6112FV-C

BM6112FV-C is a gate driver with isolation voltage of 3750Vrms, I/O delay time of 150ns, and incorporates fault signal output function, ready signal output function, under voltage lockout (UVLO) function, short circuit protection (SCP) function, active miller clamping function, output state feedback function and temperature monitor function.For sale of this product, please contact the specifications in our sales office. Currently, we don't sell this on the internet distributors now.
暂无信息
0 ROHM

GCJ188R72A392KA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA