DCP01B系列
www.ti.com
SBVS012B - 2000年12月 - 修订2004年10月
去耦陶瓷电容器
所有电容器具有损耗，由于其内部等效
串联电阻（ESR ） ，并在较小程度的
等效串联电感（ESL ） 。值是ESL
并不总是容易得到。然而，一些制造商
提供频率与电容器图
阻抗。这些会显示在电容器'阻抗
落下随着频率的增加（参见图4） 。作为
频率增加时，阻抗将停止
下降，开始上升。最小的点
阻抗表示电容器“谐振频率。
这个频率是电容的其中部件
和感抗相等幅度。外
此时，电容器不能有效作为电容器。
输入电容和ESR的影响
如果输入去耦电容是不是陶瓷
< 20MΩ的ESR ，然后在瞬间的功率晶体管
开机，在输入引脚上的电压将下降瞬间。
如果电压低于4V左右，在DCP
将检测到的下压状态，并切换将DCP
驱动电路为断开状态。这是进行与一个
防备真正的低输入电压条件
这可能会减慢甚至停止从内部电路
运行正常。这将导致该驱动器
晶体管的导通时间过长，造成饱和
该装置的变压器和破坏。
下面检测的低输入电压条件下，该
设备关闭内部驱动电路，直到输入
电压返回到一个安全值。那么该设备将尝试
重新开始。如果输入电容仍无法维持
输入电压，关断复发。这个过程被重复
直到电容器被充电到足以启动设备
正确。否则，该设备将被卷入了一个循环。
正常启动应该发生在约1毫秒的
功率施加到设备。如果一个相当长的
遇到启动的持续时间，它可能是任一
（或两者）的输入电源或电容器不
进行充分的。
对于5V至15V的输入设备，一个2.2μF的低ESR陶瓷
电容确保了良好的启动性能，以及
其余的输入电压范围， 0.47μF的陶瓷
电容器是好的。钽电容不
推荐的，因为大多数不具有低ESR值
并会降低性能。如果钽电容必须
用，密切一定要注意两者的ESR和
电压作为由厂商降额。
Z
X
L
0
f
O
频率
其中：
XC为电抗，由于电容
XL是电抗由于在ESL
f
O
的谐振频率
Z =
√
（ XC
−
XL ）
2
+（ ESR）的
2
图4.电容的阻抗与频率
在f
O
, X
C
= X
L;
然而，有一个180 °的相位差
从而消除虚分量的。该
所得的效果是，在谐振点的阻抗
是复数阻抗的实部;即，在
的ESR值。的谐振频率必须是良好
以上所述的DCP的800kHz的开关频率和
DCV值。
所述ESR的作用是使内部的电压降
电容。这个电压降值就是
的ESR和瞬变负载电流，作为产品
在等式（1）所示：
输出纹波计算示例
DCP020505 ：输出电压5V ，输出电流0.4A 。在
完整的输出功率，负载电阻为12.5Ω 。产量
1μF电容， 0.1Ω的ESR的。电容放电时间
在800kHz （纹波频率）的1 ％ ：
t
DIS
= 0.0125µs
T = ç
×
R
负载
t = 1
×
10
−6
×
12.5 = 12.5µs
V
DIS
= V
O
（ 1 - EXP （ -t
DIS
/τ))
V
DIS
=为5mV
相反的电压降是由于ESR：
V
ESR
= I
负载
×
ESR
V
ESR
= 40mV以内
纹波电压= 45mV
很明显，增大电容将会有更
上的输出纹波电压比的降低效果较小
所述ESR为滤波电容的值。
V
IN
+
V
PK
*
（ ESR
其中：
I
TR
)
(1)
V
IN
是在设备输入端的电压。
V
PK
是在该电压的最大值
充电过程中电容。
I
TR
是瞬态负载电流。
是影响性能的另一因素是值
的电容。然而，对于输入和全波
输出（单输出电压的设备）时， ESR是
主导因素。
12
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
