特定网络阳离子
参数
输出
逻辑系列
逻辑编码
逻辑电平
三态启用时间
三态禁止时间
电源要求
电源电压： + V
S
电源电流： + I
S
耗电量
热阻，
θ
JA
28引脚SOIC
28引脚SSOP
（续）
ADS820U ，E
条件
温度
民
典型值
TTL / HCT CMOS兼容
SOB或BTC
满
满
满
操作
操作
操作
操作
操作
满
+25°C
满
+25°C
满
+4.75
0
2.5
20
2
+5
39
40
195
200
75
50
0.4
+V
S
40
10
+5.25
47
55
235
275
最大
单位
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 5V，采样速率= 20MHz时，具有50％占空比的时钟信号具有2ns的上升/下降时间，除非另有说明。
逻辑可选
逻辑“ LO” ，C
L
= 15pF的
逻辑“ HI” ，C
L
= 15pF的
V
V
V
ns
ns
V
mA
mA
mW
mW
° C / W
° C / W
绝对最大额定值
+V
S
....................................................................................................... +6V
模拟输入................................................ .............. 0V至（ + V
S
+ 300mV的）
逻辑输入................................................ ................ 0V至（ + V
S
+ 300mV的）
外壳温度................................................ ......................... + 100°C
结温................................................ .................... + 150°C
存储温度................................................ ..................... + 125°C
外部的顶级参考电压（ REFT ） ................................. + 3.4V最大
外部底部参考电压（ REFB ） .............................. + 1.1V敏
注：以上讲这些额定值可能会永久性损坏设备。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
静电放电可能会损坏不等
性能下降，完成设备故障。 Burr-
布朗公司建议所有集成电路
处理，并使用适当的ESD保护存储
的方法。
封装/订购信息
包
制图
数
(1)
217
324
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
产品
ADS820U
ADS820E
包
28引脚SOIC
28引脚SSOP
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
®
3
ADS820
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
