引脚配置
顶视图
SSOP
引脚说明
针
1
名字
DGND
CH B1 +
CH B1-
CH B0 +
CH B0-
CH A1 +
CH A1-
CH A0 +
CH A0〜
REF
IN
REF
OUT
AGND
+V
A
描述
数字地。直接连接到模拟地（引脚12） 。
非反相输入通道B1
反相输入通道B1
非反相输入通道B0
反相输入通道B0
非反相输入通道A1
反相输入通道A1
非反相输入通道A0
反相输入通道A0
参考输入
2.5V参考输出
模拟地。直接连接到数字地（引脚1） 。
模拟电源， + 5VDC 。直接连接到数字
电源（引脚24） 。去耦到模拟地与
0.1μF的陶瓷电容和一个10μF的钽电容。
串行输出之间进行选择。当M1为低，
两个串行输出A和串行输出B的选择
数据传输。当M1为高电平时，串行输出A是
配置通道A的数据和通道B的数据;
串行输出B进入三态（即高阻抗） 。
之间的两个信道和四个信道选择操作
化。当M0为低电平，双通道操作SE-
lected ，工作与A0配合。当A0为
高，通道A1和B1频道正在CON-
verted 。当A0引脚为低电平时，通道A0和B0频道
被转换。当M0为HIGH时，四通道
选择操作。在这种模式下，所有四个通道都
转换后的顺序开始的通道A0和
B 0 ，随后频道A1和B1 。
A0经营与M0结合。与M0和LOW
A0高，通道A1和B1通道被转换。
与M0低和低A0 ， A0通道和通道
B 0被转换。
转换的开始。当从低CONVST切换到
高，从样品的设备切换到举行
模式中，独立的外部时钟的状态。
同步脉冲的串行输出。
片选。低电平时，串行输出A和串行
输出B输出是活动的;高电平时，串行
输出三态。
外部CMOS兼容的时钟可以应用于
时钟输入同步转换过程
到外部源。时钟引脚控制
由下式采样率：时钟频率= 16 • ˚F
样品
.
在转换过程中BUSY变为高电平和低电平返回
之后的第三最低位已被发送在任一
串行A或B串行输出引脚。
的串行输出数据字包括信道的
信息和12位的数据。在操作中，数据是有效
上DCLOCK的后边缘16的下降沿
尾随在RD的边缘。
的串行输出数据字包括信道的
信息和12位的数据。在操作中，数据是有效
上DCLOCK的后边缘16的下降沿
尾随在RD的边缘。当M1为高，两者频道
数据和通道B的数据是可用的。
数字电源， + 5VDC 。直接连接到引脚
13.必须
≤
+V
A
.
ADS7861
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DGND
CH B1 +
CH B1-
CH B0 +
CH B0-
CH A1 +
CH A1-
CH A0 +
CH A0〜
+V
D
24
串行数据的23
串行数据B 22
BUSY 21
时钟20
CS 19
RD 18
CONVST 17
A0 16
M0 15
M1 14
+V
A
13
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
10 REF
IN
11 REF
OUT
12 AGND
14
M1
15
M0
绝对最大额定值
模拟输入连接到AGND，任何通道输入........ -0.3V到（ + V
D
+ 0.3V)
REF
IN
.................................................. ................... -0.3V到（ + V
D
+ 0.3V)
数字输入到DGND .......................................... -0.3V到（ + V
D
+ 0.3V)
接地电压差： AGND ， DGND ...................................
±0.3V
+V
D
到AGND ......................... -0.3V到+ 6V
功耗................................................ .......................... 325MW
最高结温............................................... ... + 150°C
工作温度范围........................................ -40 ° C至+ 85 ℃，
存储温度范围......................................... -65 ° C至+ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
16
A0
17
CONVST
18
19
RD
CS
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布的specifi-
阳离子。
20
时钟
21
忙
22
串行
数据
B
串行
数据
A
23
24
+V
D
®
3
ADS7861
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
