MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷
瞬态电压抑制阵列
ESD保护CMOS和Bi极地系统
典型性能曲线 -
电压/电流特性
多层结构，提高晶粒结构导致
超过30优异的瞬态钳位特性
安培（ 20安培上MG064L18X500 ）的峰值电流，同时
保持在直流操作非常低的漏电流
5.6V
25
50
条件。下面将VI曲线表示了电压/电流
为5.6V的特性，9V， 14V和18V份与电流
租金从微安培的分数到几十安培。
9.0V和14.0V
20
电压（V）的
40
电压（V）的
10
-6
MG064S05A150
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
15
30
10
20
5
10
0
10
-9
0
10
-9
10
-6
MG064S09A200
10
-3
电流（A ）
MG064S14A300
10
+0
10
+3
18V
100
MG064L18X500
70
60
50
电压（V）的
40
30
20
80
电压（V）的
60
40
20
0
10
-9
10
-6
MG064S18A400
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
10
10
-9
10
-6
MG064L18X500
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
典型性能曲线 -
温度特性
MultiGuard抑制器的设计在整个温度范围：-55 ° C至+ 125°C的工作。
电压的温度依赖性
电压的百分比
平均击穿电压
100
90
80
70
60
50
40
0.8
节能减额
1.25
典型的能量降额与温度
1.0
30
20
0.6
0.4
10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
电流（A ）
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.2
-40 C
25 C
85 C
125 C
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120
140 160
温度（
o
C)
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型故障和钳位电压
- 温度 - 5.6V
20
V
C
15
典型故障和钳位电压
- 温度 - 18V
50
40
30
20
-55
(
V
C
)
5.6V
10
5
-55
18V
V
B
(
V
B
)
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
23
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