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    2T1 参数 Datasheet PDF下载

    2T1图片预览
    型号： 2T1
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    内容描述： SOT- 23塑封装晶体管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 39 K
    品牌： AVICTEK [ Avic Technology ]
       
    @vic
    SOT- 23塑封装晶体管
    SOT-23
    AV9012LT1
    特点
    功耗
    P
    厘米：
    晶体管（ PNP ）
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    1. 0
    0.3
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    0. 95
    2. 4
    1. 3
    0. 95
    集电极电流
    I
    厘米：
    -0.5
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    :
    -40
    V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-500mA
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -20mA
    2. 9
    1. 9
    单位：mm
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    民
    -40
    -25
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    120
    40
    -0.6
    -1.2
    150
    V
    V
    兆赫
    400
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    IC = -100
    µ
    A，I
    E
    =0
    IC = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    =-100
    µ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = -40 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    = -20V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    = -50mA
    0. 4
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    f
    T
    f=
    30MHz
    H
    200-350
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    L
    120-200
    J
    300-400
    器件标识
    S9012LT1=2T1
    版权所有@vic电子股份有限公司
    网站http://www.avictek.com

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