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AS5C4008CW-17L/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS5C4008CW-17L/IT图片预览
型号: AS5C4008CW-17L/IT
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内容描述: 512K ×8 SRAM SRAM存储器阵列 [512K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 334 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
短路输出电流(每个I / O) ... ............................. 20毫安
任一引脚电压相对于Vss ......................- 。 5V至Vcc + 1 V
最高结温** .................................... + 150°C
AS5C4008
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,
周期时间,装载,环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 % )
参数
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
---
4.5
最大
-20
-25
225
180
60
30
25
10
225
180
60
30
25
10
OV < V
IN
& LT ; VCC
输出(S )禁用
OV < V
OUT
& LT ; VCC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
--
0.4
5.5
单位
V
V
µΑ
µΑ
V
V
V
笔记
1
1, 2
1
1
1
参数
电源电流:
操作
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
L型仅
CE \\ > V
IH
; VCC = MAX
F = 0时,输出打开
符号
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-15
225
180
60
30
25
10
-17
225
180
60
30
25
10
-35
225
180
60
30
25
10
-45
225
180
60
30
25
10
单位备注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3
电源电流:
待机
L型仅
CE \\ < V
CC
-0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< VSS + 0.2V或
V
IN
>的Vcc -0.2V ; F = 0
L型仅
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3