SRAM
奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
特点
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访问次数： 12 ， 15 ， &为20ns
缓存应用程序快速输出使能（ tDOE ）
低活跃功率： 400兆瓦（ TYP ）
低功耗待机
全静态操作，无时钟或刷新要求
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
AS5C2568
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28 -PIN PSOJ （ DJ ）
选项
•
定时
为12ns存取*
15ns的访问
20ns的访问
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包（ S） **
塑料SOJ
记号
-12
-15
-20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
CC
27 WE \\
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE \\
21 A10
20 CE \\
19 I / O7
18 I / O6
17 I / O5
16个I / O4
15 I / O3
DJ
906号
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工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
XT
IT
*
-12在IT才可用。
**
本产品的陶瓷版本，请参阅MT5C2568
数据表。
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用，澳大的灵活性
锡美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出的
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了一个低功率待机模式时显示
体健。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
