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AS5C1008-15 参数 Datasheet PDF下载

AS5C1008-15图片预览
型号: AS5C1008-15
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内容描述: 128K ×8 SRAM耐用的塑料高速SRAM [128K x 8 SRAM RUGGEDIZED PLASTIC HIGH SPEED SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 102 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
坚固耐用的塑料
高速SRAM
特点
15 , 20和25 ns访问时间
快速输出使能(吨)高速缓存的应用
AOE
低有功功率
低待机功耗
全静态操作,无时钟或刷新要求
TTL兼容的输入和输出
+ 5V单电源供电
包装行业标准32引脚SOJ
NC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A16
A15
A14
A13
I/O0
I/O1
I/02
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A7
CE
2
WE \\
A8
A9
A10
A11
OE \\
A12
CE \\
1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
AS5C1008
引脚分配
( TOP VIEW )
32引脚塑料SOJ ( DJ )
选项
•时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
•包
塑料SOJ *
记号
-15
-20
-25
DJ
905号
•工作温度范围
-Military ( -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
XT
IT
引脚功能
A0 - A16
WE \\
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
无连接
概述
该ASI AS5C1008是一款高速,低功耗,通过128K
8位加固塑料( COTS )的CMOS静态RAM 。这是fabri-
采用高性能, CMOS技术标识。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ,收益率在存取时间以最快的速度为15ns (最大值)
军事和工业温度范围。
当芯片使能( CE \\ )为高电平时,器件处于
待机模式下,在该功率耗散可以降低
下降到为125mW (最大)在CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用低电平提供
CE \\,并置为高电平CE2和低电平写使能
(
WE \\),同时控制写入和读取的存储器。
TheAS5C1008是引脚兼容其他128K ×8
SRAM的在SOJ包装。
CE \\
1
,CE
2
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
*有关本产品的陶瓷版本,请参阅
MT5C1008数据表。
AS5C1008
修订版3.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1