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    AS5C1008 参数 Datasheet PDF下载

    AS5C1008图片预览
    型号： AS5C1008
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8 SRAM耐用的塑料高速SRAM [128K x 8 SRAM RUGGEDIZED PLASTIC HIGH SPEED SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 67 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS5C1008的Datasheet PDF文件第9页  
    SRAM
    奥斯汀半导体公司
    AS5C1008
    电气特性和推荐AC工作条件
    (-55
    o
    C<T
    A
    <+125
    o
    C或-40
    o
    C至+ 85
    o
    ℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
    -15
    描述
    读周期
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片使能存取时间
    从地址变更输出保持
    芯片使能在低Z输出
    芯片禁用输出高阻
    输出启用访问时间
    输出使能，以在低Z输出
    输出禁用输出高阻
    写周期
    写周期时间
    芯片使能写操作的结束
    地址有效到写结束
    地址建立时间
    从写结束地址保持
    把脉冲宽度（OE \\ > V
    IH
    )
    数据建立时间
    数据保持时间
    写禁止输出在低Z
    写使能在高阻输出
    符号
    t
    RC
    t
    AA
    t
    ACE
    t
    OH
    t
    LZCE
    t
    HZCE
    t
    AOE
    t
    LZOE
    t
    HZOE
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    AH
    t
    WP
    t
    DS
    t
    DH
    t
    LZWE
    t
    HZWE
    15
    12
    12
    0
    0
    12
    8
    0
    5
    7
    0
    7
    20
    15
    15
    0
    0
    15
    10
    0
    5
    9
    3
    3
    7
    7
    0
    8
    25
    20
    20
    0
    0
    20
    15
    0
    5
    10
    1
    -20
    民
    20
    15
    15
    3
    3
    8
    7
    0
    20
    20
    3
    3
    最大
    民
    25
    -25
    最大
    单位
    ns
    25
    25
    ns
    ns
    ns
    ns
    10
    10
    ns
    ns
    ns
    10
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    民
    15
    最大
    注意：
    1. t
    LZCE
    , t
    LZWE
    , t
    HZCE
    , t
    LZOE
    和叔
    HZOE
    是模拟值。
    AS5C1008
    3.6修订版6/05
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    4

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