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AS58LC1001F-35/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS58LC1001F-35/IT图片预览
型号: AS58LC1001F-35/IT
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内容描述: 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 272 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
(例)
AS58LC1001
VCC
RES \\
*不可编程
*不可编程
功能说明(续)
数据保护(续)
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时, EEPROM的不能被擦除,并
编程。因此,数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程,因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断,噪声对控制销
通过外部电路( CPU等)中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止
这个意外的编程操作时,EEPROM必须保持
在通过使用一个不可编程的,待机或读出状态
CPU复位信号RES \\引脚。
另外,当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时,
控制引脚( CE \\ OE \\我们\\)的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声, AS58LC1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式, 3字节的数据,必须为输入,接着
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。
写地址
5555
2AAA
5555
写数据
(正常数据输入)
AA
55
A0
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58LC1001
到非保护模式,以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58LC1001
1.0版12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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