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AS58LC1001DG-35/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS58LC1001DG-35/883C图片预览
型号: AS58LC1001DG-35/883C
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内容描述: 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 272 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58LC1001
AC FOR READ操作电气特性
(-55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 3.3V的)
测试条件
输入脉冲电平:
输入上升和下降时间:
输出负载:
参考电平测量时间:
项目说明
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能接取时间
输出保持到地址变更
输出禁止到高阻
RES \\到输出延迟
0.0V至3.0V
& LT ;为20ns
1 TTL门+ 100pF电容(包括范围和夹具)
1.5V, 1.5V
测试条件
符号
t
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
t
DFR
t
RR
-25
最小最大
---
---
10
0
0
0
0
250
250
120
---
75
350
600
-30
单位
最小最大
---
---
10
0
0
0
0
300
300
130
---
75
350
600
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
OE \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
CE \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
CE \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
WE \\ = V
IH
AC用于软件数据电气特性
保护循环运行
参数
字节负载循环时间
写周期时间
符号
t
BLC
t
WC
1.0
15
最大
30
---
单位
S
mS
AC FOR DATA \\轮询操作电气特性
参数
输出使能保持时间
输出使能写建立时间
写开始时间
写周期时间
符号
t
OEH
t
OES
t
DW
t
WC
0
0
250
---
最大
---
---
---
15
单位
ns
ns
ns
ms
AS58LC1001
1.0版12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
6