EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
l
MIL-STD-883
l
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速：150 ，200，和250ns的
l
数据保存： 10年
l
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
l
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
l
数据轮询和就绪/忙信号
l
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
l
软件数据保护算法
l
数据保护电路在电源开/关
l
硬件数据保护与RES引脚
l
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
l
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低的功耗
化，并通过采用先进的MNOS高水平的可靠性
存储器技术和CMOS工艺和电路技术和
CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。硬
器的数据保护设置有RES管脚，除了噪声
保护的WE信号和电源开启和关闭期间禁止写入。
软件的数据保护使用JEDEC可选斯坦实施
准算法。
该AS58C1001是专为高可靠性的最DE-
朱古力应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
选项
l
标志
l
l
定时
为150ns访问
-15
200ns的访问
-20
250ns的访问
-25
套餐
陶瓷扁平封装
F
辐射屏蔽陶瓷FP * SF
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
306号
305号
508号
XT
IT
*注：包盖被连接到地（Vss ） 。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE \\
CE \\
WE \\
VCC
VSS
RDY / BUSY \\
RES \\
AS58C1001
修订版4.0 3/01
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
