EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节
被写入到EEPROM中的一个周期，并允许
在128字节未定义的数据对应写入
到未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
以同样的方式的数据的每个附加字节可以被加载
内为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持高位100μS
输入数据后， EEPROM进入擦除和写入
自动地和唯一的输入数据可被写入到
EEPROM 。在页模式中的数据可以被写入和访问
10
4
次每页，并在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
编程/擦除
该58C1001做
不
采用批量擦除功能。
的存储单元可以被编程' 0'或' 1' 。写周期
执行擦除&写函数在每个周期
擦除是对用户透明的。内部擦除数据
状态被认为是“1”。编程存储器阵列
与所有0的背景或所有1的，则用户将
程序使用页面模式的写操作，以该数据
编程所有1024的128字节的页。
数据保护
为了保护数据的操作和功率中的开/关，
该AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\
OE \\我们\\）运行过程中。在读或待机状态下，噪音
上的控制引脚可以用作触发和关闭的EEPROM
编程模式错误。为了防止这种phenom-
ENON ，所述AS58C1001具有噪声消除功能
减少噪音，如果其宽度为20ns或更少的编程模式。
要小心，不要让更多的比为20ns宽度的噪音
控制引脚。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为
确定的。如果EEPROM设置为只读模式期间
写周期，并且要加载的数据的最后一个字节的反转
从I / O ，输出以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声在写周期不会采取行动
作为具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\
高，抑制一写周期期间电源开/关。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保留时间更
十多年来，当一个设备被编程小于10
4
周期。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态
来确定。在RDY /忙\\信号具有高阻抗
除了在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期的结束时，RDY /忙\\信号
改变状态为高阻抗。这让很多58C1001
设备RDY /忙\\信号线进行线或在一起。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
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