EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个周期内的EEPROM中，并允许非
内128字节定义的数据与对应于写
未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
同样地每个数据字节的额外可在装
为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持较高的数据之后100μs的
输入， EEPROM进入擦除和自动写入和
仅在输入数据可以被写入到EEPROM 。在第
模式中的数据可以被写入和访问10
4
每页次，
在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
数据保护
操作和电源开/关时，在保护数据
AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\ OE \\
WE \\）运行过程中。在读或待机状态下，噪声对
控制引脚可以用作触发器，把EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种现象，
该AS58C1001具有噪音消除功能，削减噪音
如果其宽度为20ns或更小的编程模式。要小心，不要
以允许的宽度的噪声超过上控制引脚为20ns 。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定为写入期间阅读模式
周期的数据的最后一个字节的，并且反转被加载输出
从我把输入/输出，以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声对写周期不会充当
具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\高，
电源开/关过程中抑制一个写周期。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
结束
Of
生活
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保持时间大于
当一个设备被编程小于10 10年
4
周期。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
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