SDRAM
奥斯汀半导体公司
写
WRITE命令用于启动一个字符组写
访问活动行。在BA0 ， BA1输入的值
WRITE（续）
选择提供了输入A0 -A8银行和地址
选择的起始列的位置。输入A10的值
确定自动预充电是否被使用。如果汽车
预充电被选择时，该行被访问将预充电
在写突发的结束;如果自动预充电不
选择，该行将继续开放供后续访问。
上出现的DQ输入数据被写入存储器AR-
光线受到一致出现在DQM输入逻辑电平
同的数据。如果一个给定的DQM信号被注册为低，该
相应的数据将被写入到存储器中;如果DQM
信号被登记高电平时，相应的数据输入端将
被忽略，并且一写将不会执行该字节/
列位置。
预充电
预充电命令用于关闭打开
排在一个特定的银行或开行的所有银行。该
银行（ S）将可以在接下来的行访问的
指定时间（t
RP
）后，预充电命令是 -
起诉。输入A10确定所有的银行是否有一个或都将
预充电，一个在只有一个存储体是这样的情况
预充电，输入BA0 ， BA1选择银行。否则BA0 ，
BA1被视为“不在乎。 ”一旦一家银行已经
预充电，它是在空闲状态中，并且必须先被激活
发出该银行的任何读或写命令。
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
上述个别银行预充电功能，
而无需显式命令。这是通过
通过A10启用自动预充电与连词
具体的读或写命令。的预充电
与该读取或写入解决银行/行
命令的完成时自动执行
读或写爆了，除了在全页突发模式，
其中，自动预充电不适用。自动预充电
是非持久性的，因为它是已启用或为每个残疾
个人读或写命令。
自动预充电可以确保在预充电时，在开始
脉冲串内的最早的有效阶段。用户不得发布
另一个命令，相同的银行，直到预充电时间
(t
RP
）就完成了。这被确定为如果一个明确的
预充电命令尽早发出
时间，所描述的操作一节中每个突发类型
本数据手册。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断
无论是网络连接固定的长度，或整页阵阵。最近
AS4SD8M16
修订版0.5 04/05
AS4SD8M16
注册读或写命令前BURST
TERMINATE命令将被截断，如图中
该数据表的操作部分。
自动刷新（IT & ET温度选择ONLY）
的正常操作期间，自动刷新时
SDRAM和类似于CAS \\ -before -RAS \\ （ CBR）的
刷新传统的DRAM 。此命令是
非持久性，所以它必须在每次发出刷新
所需。所有活跃的银行之前，必须先发出预充电
一个自动刷新命令。自动刷新
不应该发出命令，直到最小的吨
RP
已
在预充电命令之后满足如图中
操作部分。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位在“不关心”
一个自动刷新命令。 128MB的SDRAM要求
4096自动刷新周期每64毫秒（T
REF
），无论
宽度操作。提供了一个分布式的自动刷新
命令所有的15.625μs将满足要求刷新
并确保每一行刷新。另外， 4096
自动刷新命令可以在一个突发的发行
最小周期率（T
RFC
） ，每64毫秒一次。
自刷新（IT & ET温度选择ONLY）
在自刷新命令可以用来保留数据
在SDRAM中，即使该系统的其余部分被断电。
当在自刷新模式中，SDRAM保留数据
无需外部时钟。自刷新命令
开始喜欢和自动刷新命令除CKE是
禁用（ LOW ） 。一旦自刷新命令是
注册，全部投入到SDRAM中成为“不关心”
除CKE的，它必须保持低电平。
一旦自刷新模式时，在SDRAM中规定
其自己的内部时钟，使之执行它自己的自动
刷新周期。在SDRAM必须保持自刷新
模式为一个最小周期等于tRAS的和可以保持在
自刷新模式为超出无限期。
对于退出自刷新的过程需要一个序列
的命令。首先， CLK必须稳定（稳定的时钟是DE-
罚款规定范围内的时序约束的信号单车
对于时钟脚）前CKE回到高电平。一旦CKE
为高电平时，对SDRAM必须发出NOP命令（一
最小的2个时钟）为TXSR因为所需的时间
完成正在进行的任何内部刷新。
在退出自刷新模式，自动刷新
命令必须发出每7.81μs以下为双方自
刷新和自动刷新使用该行刷新
计数器。自刷新和自动刷新选项
可与IT和ET温度选项。他们
不可与XT温度选项。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
