SDRAM
奥斯汀半导体公司
128兆： 8梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
•全军用温度（ -55°C至125°C ）处理可用
ABLE
•配置： 8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
•自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
•自刷新模式（ IT）
• 64毫秒， 4096周期刷新（ IT）
• <24ms 4096周期recfresh （ XT ）
•写恢复（T
WR
= “ 2 CLK ” ）
• LVTTL兼容的输入和输出
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
DD
DQML
WE \\
CAS \\
RAS \\
CS \\
BA0
BA1
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
V
SS
NC
DQMH
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
AS4SD8M16
引脚分配
（ TOP VIEW ）
54引脚TSOP
选项
•塑料包装 - OCPL *
54针TSOP （ 400万）
•
记号
DG
901号
时间（周期时间）
7.5ns @ CL = 3 （ PC133 ）或
7.5ns @ CL = 2 （ PC100 ）
-75
A0
A1
A2
A3
V
DD
•
工作温度范围
- 工业温度（ -40 ° C至85°C ）
IT
- 工业温度加
（ -45 ° C至+ 105 ° C）
ET
-Military温度（ -55 ° C至125°C ）
XT ***
关键时序参数
速度
时钟
存取时间
GRADE频率CL = 2 ** CL = 3 **
-75
133兆赫
–
5.4ns
-75
100兆赫
6ns
–
*关中心的分型线
** CL = CAS （ READ ）延迟
***咨询工厂
格局
时间
1.5ns
1.5ns
HOLD
时间
0.8ns
0.8ns
8梅格×16
CON组fi guration
2梅格×16× 4银行
刷新计数
4K
行寻址
4K （ A0 -A11 ）
银行地址
4 （ BA0 ， BA1 ）
列寻址
512 (A0-A8)
注意： “\\ ”表示低电平有效。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4SD8M16
修订版0.5 04/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
