SDRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×32× 4银行（ 64 MB）
SDRAM同步
特点
•全军用温度（ -55°C至125°C ），可处理
•配置： 512K ×32× 4银行
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
•自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
•自刷新模式（IT & ET ）
• 64毫秒， 4096周期刷新（IT & ET ）
• <16ms 4096周期刷新（ XT ）
•写恢复（T
WR
= “ 2 CLK ” ）
• LVTTL兼容的输入和输出
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
DD
Q
DQ19
DQ20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
AS4SD2M32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
86引脚TSOPII
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DD
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
DD
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
选项
•塑料TSOPII -EX
•
记号
DGX
-6
-7
-7.5
IT
ET
XT ***
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
DD
Q
DQ23
V
DD
时间（周期时间）
6.0ns CL = 3
7.0ns CL = 3
7.5ns CL = 3
工作温度范围
- 工业温度（ -40 ° C至85°C ）
- 增强温度
（ -45 ° C至+ 105 ° C）
- 扩展温度（ -55 ° C至125°C ）
•
2M ×32
CON组fi guration
512K ×32 ×4的
刷新计数
4K
行寻址
4K （ A0 - A10 ）
银行地址
4 （ BA0 ， BA1 ）
列寻址
256 (A0-A7)
关键时序参数
速度
时钟
存取时间
GRADE频率CL = 2 ** CL = 3 **
** CL = CAS （ READ ）延迟
***咨询工厂
格局
时间
1.5ns
HOLD
时间
0.8ns
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4SD2M32
1.0版1/08
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
