AS4SD16M72PBG-s/IT,ET,XT
16M X 72 ， SDR SDRAM ， 3.3V核心/ 3.3V IO
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 -A11加载（ A12
应驱动为低电平） 。见模式寄存器中的标题
该寄存器定义部分。加载模式
寄存器命令只能发出时，所有银行都
空闲的，并且不能够被发出后续的可执行命令
直到超过tMRD满足。
高电平时，相应的数据输入将被忽略，并且
一个写操作将不会被执行到的字节/列
位置。
预充电
在预充电命令用于停用
打开行中的特定行或打开行中的所有
银行。该行（ S）将可在接下来的行
预充电后，可以访问指定的时间（TRP）
命令被发出。输入A10确定是否一个或
所有银行都必须预充电，输入BA0 ， BA1
选择银行。否则BA0 ， BA1被视为
“不关心” 。一旦银行被预充电，它
处于空闲状态和之前的任何必须被激活
正在发行的是银行读或写命令。
活跃
激活命令用于在打开（或激活）的行
用于随后的访问一个特定的银行。对价值
BA0 ， BA1输入选择银行，而提供的地址
在输入A0 -A12选择行。该行仍活跃
（或打开），用于访问，直到预充电命令是
颁发给该银行。预充电命令必须是
在同一家银行开立不同的行前发出。
自动预充电
自动预充电是一种功能，它执行
同一个人银行预充电功能描述
以上，而无需显式命令。这是
通过A10启用自动完成
PRECHARGE结合一个具体的READ或
写命令。该行/列的预充电的
被寻址的读或写命令是
在读取完成后自动执行
或写突发，除了在全页突发模式，
其中，自动预充电不适用。 AUTO
PRECHARGE是非持久性的，它可以是使能
或每个单独的读或写禁用
命令。
自动预充电可以确保预充电是
在一个脉冲串内的最早的有效阶段启动。用户
绝不能发出另一个命令在同一行，直到
在预充电时间（ tRP）内完成。这是
确定是否一个明确的预充电命令是
在最早的时间内发出，如对每个
突发类型的操作。
读
READ命令用于启动一个突发的读访问权限的
活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，并提供了对输入的地址A0 -A8 （每X16 ）
选择的起始列的位置。输入A10的值
确定自动预充电是否使用。如果
自动预充电被选择时，该行将保持开放
对于后续访问。读取数据出现在DQS的
受上DQM的逻辑电平输入两个时钟
更早。如果一个给定的DQM信号被注册HIGH时，所述
相应的DQ将高阻两个时钟周期后，如果
DQM信号是LOW注册， DQS的将提供有效的
数据。
写
WRITE命令用于启动一个字符组写
访问活动行。在BA0 ， BA1输入的值
选择提供了输入A0 -A8银行和地址
（每X16 ）选择起始列位置。该值
输入A10确定自动预充电是否是
使用。如果自动预充电被选择时，该行是
访问在写月底将预充电
破裂;如果后续访问输入数据出现在
所述的DQ被写入到存储器阵列受
DQM输入逻辑电平出现一致的数据。如果
一个给定的DQM信号被登记低电平时，对应的
数据将被写入到存储器中;如果DQM信号
奥斯汀半导体公司
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断
无论是固定长度或整页突发。最近
注册READ或WRITE命令之前
BURST TERMINATE命令将被截断。
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