AS4SD16M72PBG-s/IT,ET,XT
16M X 72 , SDR SDRAM , 3.3V核心/ 3.3V IO
框图
:
用25mm x 32毫米219 BGA封装(1.27 mm间距)
VCC
VCCQ
VSS
CLK2
CLK1
CKE1
CS1\
WE1\
RAS1\
CAS1\
DQML1
DQMH1
SDR
SDRAM
X16
3.3V核心
3.3V IO
AD
DR
BA
0
BA
1
SDR
SDRAM
X16
3.3V核心
3.3V IO
CKE2
CS2\
WE2\
RAS2\
CAS2\
DQML2
DQMH2
DQ32-47
CLK4
DQ16-31
CLK0
CLK0\
CKE0
CS0\
WE0\
RAS0\
CAS0\
DQML0
DQMH0
DQSL0
DQSH0
DQ0-15
SDR
SDRAM
X16
3.3V核心
3.3V IO
SDR
SDRAM
X16
3.3V核心
3.3V IO
3
CKE4
CS4\
WE4\
RAS4\
CAS4\
DQML4
DQMH4
DQ64-79
CLK3
SDR
SDRAM
X16
3.3V核心
3.3V IO
CKE3
CS3\
WE3\
RAS3\
CAS3\
DQML3
DQMH3
DQ48-63
信号层( S)
奥斯汀半导体公司
地平面
专利材料
VDD
VDDQ
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