MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
AS4LC4M4
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
< 125
o
Ç & -40
o
Ç <牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
参数
输入漏电流（任何输入0<V
IN
＆ LT ; V
IN
+0.3V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
)
输出高电压（I
OH
= -2mA ）
输出低电压（I
OL
= 2毫安）
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
---
最大
5
5
---
0.4
单位
uA
uA
V
V
最大
符号
I
CC1
*
I
CC2
I
CC3
*
参数
工作电流（ RAS \\和CAS \\ ，地址自行车@ T
RC
= MIN）
功率=无关
待机电流（ RAS \\ CAS = \\ = W \\ = V
IH
)
功率=正常L
RAS \\ - 只刷新电流（ CAS \\ = V
IH
， RAS \\ ，地址自行车@
t
RC
= MIN ） ，功率=无所谓
快速页模式电流（ RAS \\ = V
IL
中国科学院\\ ，地址自行车@
t
PC
= MIN ） ，功率=无所谓
待机电流（ RAS \\ CAS = \\ = W \\ = VCC - 0.2V ）
功率=正常L
CAS \\ -before - RAS \\刷新电流（ RAS \\和CAS \\ @骑自行车
t
RC
= MIN ） ，功率=无所谓
备用电池电流，平均电源电流，电池后台
模式，输入高电压（V
IH
) = V
CC
- 0.2V ，输入低电压
(V
IL
） = 0.2V ， CAS \\ = 0.2V ， DQ =无关，T
RC
= 31.25us （ 4K / L-
版本） ， 62.5us （ 2K / L -VER ） ，T
RAS
= T
RAS
分〜 300ns的
I
CCS
自刷新电流， RAS \\ CAS = \\ = 0.2V ，W \\ = OE \\ = A0 〜 A11 =
V
CC
- 0.2V或0.2V ， DQ0 〜 DQ3 = V
CC
- 0.2V ， 0.2V或打开
200
-60
100
1
-70
单位
100
I
CC4
*
I
CC5
I
CC6
*
80
200
100
I
CC7
250
注意事项：
*I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。我
CC
被指定为一个
平均电流。在我
CC1
, I
CC3
和我
CC6
地址可以被改变最多一次，而RAS \\ = V
IL
。在我
CC4
，地址可以被一次1内变化最大
快页模式周期时间t
PC
.
AS4LC4M4
修订版0.3 7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
