MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
测试模式周期
11
-60
符号
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RAS
t
CAS
t
RSH
t
CSH
t
拉尔
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
PC
t
PRWC
t
RASP
t
注册会计师
t
OEA
t
OED
t
OEH
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间\\
中国科学院\\访问时间
从列地址访问时间
RAS \\脉冲宽度
CAS \\脉冲宽度
RAS \\保持时间
CAS \\保持时间
列地址到RAS \\交货时间
CAS \\为W \\延迟时间
RAS \\为W \\延迟时间
列地址为W \\延迟时间
CAS \\预充电至W \\延迟时间
快速页面周期时间
快速页面读取 - 修改 - 写入时间
RAS \\脉冲宽度（快速页面周期）
中国科学院\\预充电时间访问
OE \\访问时间
OE \\数据延迟
OE \\命令保持时间
20
20
65
20
20
65
35
45
90
60
65
45
90
65
200K
40
20
民
115
160
65
20
35
10K
10K
最大
民
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
7
7
7
3, 4, 10, 12
3, 4, 5, 12
3, 10 ,12
笔记
AS4LC4M4
注意事项：
1. 200us的初始暂停电后接着是8 RAS要求\\ - 只刷新或器件正常工作达到之前CAS \\ -before - RAS \\刷新周期。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。过渡时间V之间测量
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），并且被假定为5ns的所有输入。
3.测量用相当于1 TTL负载和100pF的负载。
内的T 4.操作
RCD
（最大值）限制确保了吨
RAC
（MAX）和被满足。吨
RCD
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定吨
RCD
（最大值）限值，则访问时间
独家采用t控制
CAC
.
5.假设那件T
RCD
＆ GT ;吨
RCD
（最大值）。
6. t
关闭
（MIN）和叔
OEZ
（MAX）定义为其中输出达到开路状态的时间，不被引用的V
OH
或V
OL
.
7. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
都是非限制性的操作参数。它们被包括在数据表中作为唯一的电气特性。如果T
WCS
＆ GT ;吨
WCS
（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期的数据
输出将保持高阻抗的周期的持续时间。如果T
CWD
＆ GT ;吨
CWD
（分钟） ，T
RWD
＆ GT ;吨
RWD
（MIN）和叔
AWD
＆ GT ;吨
AWD
（MIN） ，则该周期是一个读 - 修改 - 写周期和输出的数据将
包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件被满足时，所述数据输出的状态是不确定的。
8.无论吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
9.这些参数被引用到CAS \\下降沿在早期的写周期，并在读 - 修改 - 写周期W¯¯ \\下降沿。
内的10吨操作
拉德
（最大值）限制确保了吨
RAC
（MAX），可以得到满足。吨
拉德
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于指定吨
RAS
（最大值）限值，则访问时间
经t控制
AA
.
11.这些规范被应用在测试模式下。
12.在测试模式的读周期， t值
RAC
, t
AA
, t
CAC
通过2ns的延迟为5ns为指定的值。这些参数应在测试模式下循环通过添加上述值到指定的指定
本数据表中的值。
13.若t
RASS
> 100美元，然后RAS \\预充电时间一定要用吨
RPS
而不是吨
RP
.
14.对于RAS \\ - 只刷新与突发CAS \\ -before于RAS \\刷新模式，刷新突发的2048个周期，必须在32毫秒之前和自刷新之后执行，以满足刷新规范。
15.对于分布式CAS \\ -before于RAS \\与15.6us间隔CAS \\ -before于RAS \\刷新应与15.6us之前和自刷新后，以满足刷新规范来执行。
AS4LC4M4
修订版0.3 7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
