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AS4DDR32M72PBG1-75/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS4DDR32M72PBG1-75/IT图片预览
型号: AS4DDR32M72PBG1-75/IT
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内容描述: 32Mx72 DDR SDRAM集成塑封微电路 [32Mx72 DDR SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 18 页 / 332 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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我PEM
2.4Gb
2.4GB SDRAM , DDR
奥斯汀半导体公司
AS4DDR32M72PBG1
引脚定义/功能说明
BGA位置
B5,B6,N10,V6,V7
C4,C5,M10,U9,U10
C2,C3,M9,U7,U8
B3,B4,N11,V8,V9
B7,C8,N2,U2,V3
B8,B9,N4,V4,V5
C9,C10,N1U3,U4
C6,C7M4,U5,U6
D1,D2,M8,T8,T9
D10,D11M3,T1,T2
D3,D4M7,T10,T11
J4,L4,L2,K3,K9,L10,
L8,J8,L9,J9,K2,K10,
J2
L3 , J3
H1,H3,J10,M11
D5,D6,D7,D8,D9,E1,E2,
E3,E4,E5,E6,E7,E8,E9,
E10,E11,F1,F2,F3,F4,
F5,F6,F7,F8,F9,F10,
G1,G2,G3,G4,G5,G7,
G8,G9,G10,G11,H2,H3,
H5,H7,H8,H9,H10,H11,
M1,M2,M5,N4,N5,N7,N8,
N9,P1,P2,P3,P4,P5,P6,
P7,P8,P9,P10,P11,R1,
R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,
R9,R10,R11,T3,T4,T5,
T6,T7,
T6 T7
K6
A2,A10,H6,J5,J11,L1,
L7,M6,W2,W10
A4,A5,A7,A8,B1,B2,J1,
J7,K4,K8,L5,L11,V1,
V11,W4,W5,W7,W8
A3,A6,A9,A11,B2,B10,
C1,C11,G6,J6,K1,K5,
K7,K11,L6,N6,U1,U11,
V2,V10,W1,W3,W6,W9,
W11
符号
CKEx
CKX
CKX \\
CSX \\
CASx \\
RASx \\
WEX \\
DQMLx
DQMHx
DQSLx
DQSHx
Ax
BAX
DNU
TYPE
描述
时钟使能,所有的推动者硅时钟电路
时钟输入端(高电平有效)的差动对的一部分(1对每x16的比特)
时钟输入(低电平有效)差分对的一部分(每X16位1pair )
芯片的选择,每个X16位1 (低电平有效)
列地址选择( 1元X16位)
行地址选择( 1元X16位)
写使能输入(低电平有效, 1元X16位)
CNTL输入
阵列地址输入提供的ACTIVE命令和行地址
ADDR输入的COLUMN地址和自动预充电位( A10)为读/写
COMMANDS
输入
银行地址选择输入
未来使用
DQX
输入/输出数据,双向输入/输出引脚
VREF
VCC
VCCQ
供应
供应
供应
SSTL- 25电压基准
核心供电
IO电源
VSS
供应
返回地
无人居住
无人居住球矩阵位置(位置登记的援助)
AS4DDR32M72PBG1
修订版0.1 06/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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