我PEM
2.4Gb
2.4GB SDRAM ， DDR
奥斯汀半导体公司
AS4DDR32M72PBG1
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
个别银行预充电功能如上所述，但
而无需显式命令。这是通过
通过A10 ，使自动预充电相结合
与特定的READ或WRITE命令。的预充电
与该读取或写入解决银行/行
命令完成后自动执行
读或写突发。自动预充电是
非持久的，因为它是已启用或禁用每个
个人读或写命令。该器件支持
同时自动预充电命令是否其他银行
不中断数据传送到当前行。
自动预充电可以确保预充电启动
在一个脉冲串内的最早的有效阶段。这个“最早有效
阶段“被确定为如果一个明确的预充电命令
在最早的时间内发出，在不违反
t
RAS
（ MIN ）。该用户必须不发出另一个命令的
同一家银行，直到预充电时间（t
RP
）就完成了。这
被确定为，如果一个明确的预充电命令是
在最早的时间内发出的，在不违反吨
RAS
（最小值） 。
虽然不是JEDEC的要求，为今后
功能特征， CKE必须在有效（高）
自动刷新周期。自动刷新周期开始
当自动刷新命令注册和结束
t
RFC
后来。
自刷新*
在自刷新命令可以用来保留数据
在DDR SDRAM中，即使该系统的其余部分是有源
下来。当在自刷新模式时，在DDR SDRAM中保留
数据无需外部时钟。自刷新
命令，就像是一个自动刷新命令启动
除CKE被禁用（ LOW） 。该DLL会自动
在进入自刷新和禁用自动
在退出自刷新（ 200个时钟周期，必须启用
然后会出现可以发出读命令之前） 。输入
除CKE信号在自刷新“无关” 。
对于退出自刷新的过程需要一个序列
的命令。首先， CLK必须稳定之前CKE去
回HIGH 。当CKE为高电平时， DDR SDRAM必须有
发出吨NOP命令
XSNR
，是必需的，因为时间
为完成正在进行的任何内部刷新。一
简单的算法，以满足双方的刷新和DLL
要求是之前申请的NOP为200个时钟周期
施加的任何其他命令。
*自刷新只在商用和工业温度可用。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断READ
连发（带自动预充电状态）。最近
注册READ命令之前， BURST TERMINATE
命令将被截断。在打开的页面中该读
一阵从保持打开状态终止。
自动刷新
的正常操作期间，自动刷新时
DDR SDRAM，并且类似于CAS＃ -before -RAS ＃
（ CBR ）刷新传统的DRAM 。此命令
is
非持久性，所以它必须在每次发出刷新
所需。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位在“不关心”
一个自动刷新命令。每个DDR SDRAM要求
自动刷新周期为7.8125μs的平均间隔
（最大值） 。
以允许在调度和交换效率提高
任务之间，在绝对刷新间隔一定的灵活性
提供。最多八个自动刷新命令
可以发布到任何给定的DDR SDRAM ，这意味着该
任何自动刷新之间的最大间隔时间绝对
命令和下一个自动刷新命令是9×
7.8125μs （ 70.3μs ） 。这绝对最大间隔为
允许DLL未来支持更新内部的DDR
SDRAM中被限制在自动刷新周期，而不
让过多的漂移吨
AC
更新之间。
AS4DDR32M72PBG1
修订版0.1 06/09
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
