我PEM
4.8千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M72PBG
4.8GB SDRAM ， DDRII引脚TOP VIEW
1
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
m
n
p
r
t
DQ1
DQ3
DQ6
DQ7
CAS0\
CS0\
VSS
VSS
CLK3\
NC
DQ56
DQ57
DQ60
DQ62
VSS
1
2
DQ0
DQ2
DQ4
DQ5
LDM0
WE0\
RAS0\
VSS
VSS
CKE3
CLK3
UDM3
DQ58
DQ59
DQ61
DQ63
2
3
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
DQ55
DQ53
DQ51
DQ49
3
4
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDM0
CLK0
CKE0
VCCQ
VCCQ
CS3\
CAS3\
WE3\
DQ54
DQ52
DQ50
DQ48
4
5
VSS
VSS
VCC
VCCQ
6
VSS
VSS
VCC
VCCQ
7
A9
A0
A2
A12/NC
8
A10
A7
A5
DNU
BA0
9
A11
A6
A4
BA2
BA1
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
CAS4\
DQ71
DQ69
DQ67
DQ65
9
10
A8
A1
A3
DNU
注1
11
VCCQ
VCC
VSS
VSS
12
VCCQ
VCC
VSS
VSS
VREF
RAS1\
CAS1\
VCC
VCC
CLK2\
13
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
LDM1
WE1\
CS1\
VSS
VSS
CKE2
CLK2
UDM2
DQ41
DQ43
DQ45
DQ47
13
14
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
DQ40
DQ42
DQ44
DQ46
14
15
DQ31
DQ29
DQ27
DQ26
NC
UDM1
CLK1\
VCCQ
VCCQ
RAS2\
WE2\
LDM2
DQ37
DQ36
DQ34
DQ32
15
16
VSS
a
DQ30
b
DQ28
c
DQ25
d
DQ24
e
CLK1
f
UDQS3 LDQS0 UDQS0
LDQS1 UDQS1
UDQS1 \\ LDQS1 \\
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
NC
LDQS3 UDQS3 \\ LDQS0 \\ UDQS0 \\
CLK0\
VSS
VSS
LDQS3\
NC
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
CLK4
DQ72
DQ74
DQ76
DQ78
8
CKE1
g
VCC
VCC
CS2\
h
j
k
LDQS4 UDQS4 \\
VSSQ
RAS3\
LDM3
UDQS4
VSS
VCC
VCCQ
5
ODT
CKE4
CLK4\
VSS
VCC
VCCQ
6
LDQS4\
UDM4
DQ73
DQ75
DQ77
DQ79
7
LDQS2 \\ UDQS2 \\ LDQS2
WE4\
DQ70
DQ68
DQ66
DQ64
10
RAS4\
LDM4
VCC
VSS
VSS
11
CS4\
UDQS2
VCC
VSS
VSS
12
CAS2\
l
DQ39
m
DQ38
n
DQ35
p
DQ33
r
VCC
t
地
阵列电源
D / Q电源
地址
IO DATA
水平REF 。
CNTRL
地址DNU
无人居住
NC
注1 ：球D10是reseved为今后的128M X 72使用中，这将是地址信号A13
重要提示：建议没有偏差适用于无论是DNU或NC引脚。它们不连接到任何管芯焊盘但DNU &数控
销可以短接到一起以包
AS4DDR264M72PBG
修订版1.5 11/07
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
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2
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
