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AS4DDR264M72PBGR-5/ET 参数 Datasheet PDF下载

AS4DDR264M72PBGR-5/ET图片预览
型号: AS4DDR264M72PBGR-5/ET
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内容描述: 64Mx72 DDR2 SDRAM集成塑封微电路 [64Mx72 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 28 页 / 257 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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我PEM
4.8千兆SDRAM , DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M72PBG
BGA地点
L6
F4 ,F16 ,G5, G15 , K1
K12 ,L2, L13 ,M8 ,N6-
G4 , G16 , K13 , M6 , K2
G1, G13 , K16 ,K4, M12的
F12 ,G2, K15 ,L5 M11
F 1, G12 , L16 ,L4的M9
F2, F13, L15 ,M4, M10的
E4, F15 ,M13, M7 , M2的
E2 , E13 , M15 , M5 , N11
E5 ,E7, E11, N12 ,N5
F6 , F8 , F10 , K6 , L11
E6, E10 ,F5 ,K5 L12
F7 , F11 , G6 , L7 , L10
CKEx
CSX \\
RASx \\
CASx \\
WEX \\
UDMx
LDMx
UDQSx
UDQSx \\
LDQSx
LDQSx \\
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
CNTL输入
时钟使能,激活全硅时钟电路
芯片选择,一个用于数据总线宽度的每个16比特
指令输入,以及CAS \\ , \\ WE和CS \\定义操作
指令输入,以及RAS \\ , \\ WE和CS \\定义操作
指令输入,以及RAS \\ , CAS \\和CS \\定义操作
一个数据面膜CNTL 。每个高8位x16的字
一个数据面膜CNTL 。对于每个下一个8位的x16的字
数据选通输入每个字X16的高字节
UDQSx的差动输入端,仅当使能DQS差分模式下使用
数据选通输入X16的每个字的低字节
LDQSx的差动输入端,仅当使能DQS差分模式下使用
数组地址输入提供有效的命令行地址,并
列地址和自动预充电位( A10 ),用于读/写命令
见注释1页。 2
银行地址输入
数据双向输入/输出引脚
符号
ODT
CKX , CKX \\
TYPE
CNTL输入
CNTL输入
描述
片上端接:注册高级使得数据总线终端
差分输入时钟,一组为每个x16bits
A7, A8,A9 ,A10 ,B7,
Ax
输入
B8 ,B9, B10 ,C7,C8 ,
C9,C10 ,D7
D8, D9, D10
DNU
未来输入
E8 , E9m ​​D9
BA0 , BA1 , BA2
输入
A2, A3, A4, A13, A14,
DQX
输入/输出
A15, B1,B2, B3,B4,
B13, B14, B15, B16,
C1, C2, C3, C4, C13,
C14, C15 ,C16, D1,D2
D3, D4, D13, D14, D15,
D16 , E1 , E16 , M1 , M16 ,
N1, N2, N3, N4, N7, N8,
N9, N10, N13, N14,
N15 , N16 , PP1 , P2,P3
P4, P7, P8, P9, P10,
P13, P14, P15, P16,
R1, R2, R3, R4, R7, R8,
R9, R10, R13, R14,
R15,R16 ,T2,T3 ,T4
T7, T8, T9, T10, T13,
T14, T15
E12
VREF
供应
B11,B12, C5,C6 ,E3
VCC
供应
F3 ,G3 ,H3, H12 , H16 ,
J3, J12 , J16 ,K3 ,L3
M3, P11,P12 ,R5,R6 ,
T16
A11,A12 ,D5,D6 ,H4,
VCCQ
供应
H15 ,J4, J15 ,T5,T6
A5,A6, A16 ,B5,B6 ,
VSS
供应
C11,C12 , D11 ,D12,
E14 , F14 , G14 , H1,H2
H5, H13, H14 , J1,J2,
J5 , J13 , J14 , K14 , L14 ,
M14 ,P5,P6 ,R11,R12 ,
T1, T11, T12
G7 , G8 , G9 , G10 , H7 ,
VSSQ
供应
H8 , H9 , H10 , J7 , J8 , J9 ,
J10 ,K7, K8 ,K9 , K10的
E15 , F9 , G11 , H6 , H11 ,
NC
J6 , J11 , K11 ,L1, L8, L9 ,
A1
无人居住
AS4DDR264M72PBG
修订版1.5 11/07
SSTL_18基准电压源
核心供电
I / O电源
核心接地回路
I / O接地回路
无连接
无人居住球矩阵位置(位置登记的援助)
奥斯汀半导体公司
奥斯汀,德克萨斯州
512.339.1188
www.austinsemiconductor.com
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