我PEM
4.8千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M72PBG
64Mx72 DDR2 SDRAM
综合塑封微电路
特点
DDR2的数据速率= 667 ， 533 ， 400
可用在工业，增强和扩展温度
包装：
•
255塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 25× 32毫米
•
1.27mm间距
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4N位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
Eightinternal银行的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式（ I / T版）
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
1.8V
±0.1V
电源和I / O（ VCC / VCCQ ）
可编程的CAS等待时间：3， 4，5， 6或7的
Posted CAS附加延迟： 0，1， 2 ，3，4或5
写延时=读延时 - 1 * TCK
组织为64M X 72瓦特的X80 /支
重量： AS4DDR264M72PBG 〜 3.5克典型
注：自刷新模式适用于工业和增强温度。只
好处
空间意识的PBGA定义，方便
SMT可制造性（ 50万焊球间距）
减少了部件数量
47 ％的I / O减少VS个人CSP方法
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级到128M X 72的密度在未来
功能框图
2
斧头， BA0-1
ODT
VREF
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
VCCL
VSSDL
CS0\
CS1\
CS2\
CS3\
CS4\
UDMx ， LDMx
UDSQx ， UDSQx \\
LDSQx ， LDSQx \\
RASx \\ ， CASx \\ ， WEX \\
CKX ， CKX \\ ， CKEx
A
2
2
2
3
3
A
VCCL
VSSDL
2
2
2
3
3
B
VCCL
VSSDL
2
2
2
3
3
C
VCCL
VSSDL
2
2
2
3
3
2
2
2
3
3
D
VCCL
VSSDL
DQ64-79
DQ0-15 B
DQ16-31 ç
DQ32-47 ð
DQ48-63
AS4DDR264M72PBG
修订版1.5 11/07
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
●
www.austinsemiconductor.com
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
