我PEM
4.8千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M72PBG1
64Mx72 DDR2 SDRAM W /共享控制总线
综合塑封微电路
特点
DDR2的数据速率= 667 ， 533 ， 400
可用在工业，增强军事温度
包装：
•
专有的一些增强模具堆积IPEM
•
208塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 16× 23毫米
•
1.00毫米球间距
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4N位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
八个内部银行的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式（ I / T版）
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
1.8V
±0.1V
共同的核心能力和I / O供电
可编程的CAS等待时间：3， 4，5， 6或7的
Posted CAS附加延迟： 0，1， 2 ，3，4或5
写延时=读延时 - 1 * TCK
组织为64M X 72
重量： AS4DDR264M72PBG1 〜 2.0克典型
注：自刷新模式适用于工业和增强温度。只
好处
61 ％的空间节省
55 ％的I / O减少VS独立包装
途径
减少了部件数量
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级到128M X 72的密度在未来
引脚/相当于白功能
W3H64M72E-xBSx
配置解决
参数
CON组fi guration
刷新计数
行地址
银行地址
列地址
64梅格X 72
8梅格×16× 8银行
8K
A0 A12 （ 8K ）
BA0 BA2 （ 8 ）
A0 A9 （1K）
功能框图
斧头， BA0-2
ODT
VREF
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
CS \\
WE \\
RAS \\
CAS \\
CKE \\
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
VCCQ
VSSQ
VCCL
A
VSSDL
B
VCCQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
C
VCCQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
D
VCCQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
DQ64-71
ODT
UDMx ， LDMx
UDSQx ， UDSQx \\
LDSQx ， LDSQx \\
CKX ， CKX \\
A
ODT
LDM4
UDM4
DQ0-15 B
DQ16-31 ç
DQ32-47 ð
DQ48-63
AS4DDR264M72PBG1
修订版3.0 6/09
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
●
www.austinsemiconductor.com
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