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AS4DDR264M65PBG1R-38/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS4DDR264M65PBG1R-38/IT图片预览
型号: AS4DDR264M65PBG1R-38/IT
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内容描述: 64Mx64 DDR2 SDRAM瓦特/双控总线集成塑封微电路 [64Mx64 DDR2 SDRAM w/ DUAL CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 28 页 / 242 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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我PEM
4.2千兆SDRAM , DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M65PBG1
图4 - 电和初始化
注释出现第7页
V
DD
V
DD
L
V
DD
Q
V
TT
1
V
REF
T0
t
CK
Ta0
Tb0
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Td0
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Tf0
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Ti0
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Tm0
t
VTD1
CK #
CK
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CL
t
CL
LVCMOS 2
SSTL_18
2
CKE
LOW LEVEL LOW LEVEL
ODT
Comman ð
3
NOP4
PRE
LM 5
LM
6
LM 7
LM 8
9
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10
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REF
LM 11
LM 12
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d
16
DM
15
3
地址
A10 = 1
CODE
CODE
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VALI
d
15
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15
高-Z
高-Z
高-Z
R
TT
T =为200ps ( MIN )
电:
V
DD
稳定
CLO CK
( CK ,
CK # )
T = 400ns的
(MIN) 16
吨RPA
EMR(2)
吨MRD
吨MRD
EMR(3)
EMR
吨MRD
吨MRD
吨RPA
吨RF
C
吨RF
C
见注17
吨MRD
吨MRD
与EMR
OCD退出
吨MRD
MR无
DLL RE
SET
与MR
DLL RE
SET
与EMR
强迫症
默认
200
周期
of
CK
是重
叠纸D类之前
comman D可以
发行。
正常
手术
表示
休息
in
时间s
CALE
DON
“不在乎
AS4DDR264M65PBG1
修订版0.5 06/08
奥斯汀半导体公司
奥斯汀,德克萨斯州
512.339.1188
www.austinsemiconductor.com
5