我PEM
4.2千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M65PBG1
注意事项：
1.运用权力;如果CKE保持在低于0.2× VCCQ ，输出
保持禁用状态。为了保证RTT （ ODT电阻）是关闭的， VREF
必须是有效的和一个低的水平，必须施加到所述ODT球（所有
其他的输入可以是不确定的， I / O和产出一定要少
比在电压上升时间VCCQ避免DDR2 SDRAM器件
闭锁） 。
VTT不直接向设备施加;不过，
tVTD应该³0避免设备闭锁。
中的至少一个的
以下两组条件（ A或B ）必须得到满足，以获得
定义为VCC ， VCCQ ， VREF货源稳定状态（稳定供应，
和VTT的是其最大值和最小值之间的
在DC工作Conditionstable说明） ：
A. （单电源）从300mV的VCC电压斜坡
VCC （ MIN ）必须不超过200毫秒;在VCC时
斜坡电压， | VCC - VCCQ |
＆ LT ;
0.3V 。一旦电源电压
斜率结束（当VCCQ相交的VCC （MIN），直流
工作条件表规格适用。
• VCC时， VCCQ从单个电源转换器的输出驱动
• VTT被限制为0.95V MAX
• VREF跟踪VCCQ / 2 ; VREF必须在
±3V
对于
在电源斜坡时间VCCQ / 2 。
• VCCQ > VREF在任何时候都
B. （多个电源） VCC E“ VCCQ必须保持
在电源电压斜坡， AC和DC电平，直到
电源电压斜坡完成（ VCCQ跨越VCC [ MIN ] ） 。
一旦电源电压斜坡齐全，直流工作
条件表规格适用。
•之前或同时为VCCQ应用VCC ; VCC电压
斜坡时间必须是< 200毫秒从当VCC上升
为300mV到VCC （ MIN）的
•之前或同时为VTT应用VCCQ ;在VCCQ
从当VCC （ MIN） ，实现当电压上升时间
VCCQ （ MIN）的实现必须是< 500毫秒;当VCC为
斜坡，电流可以从VCC通过设备提供的
到VCCQ
• VREF必须跟踪VCCQ / 2 ， VREF必须在
±0.3V
同
对于在电源斜坡时间VCCQ / 2 ; VCCQ > VREF
必须在任何时候都必须满足
•应用VTT ;从VCCQ时的VTT电压斜坡时间
（MIN）实现到时VTT （ MIN）的实现必须是无
大于500毫秒
2. CKE要求LVCMOS输入电平之前的状态T0保证
的DQ是在器件上电高阻之前VREF是
稳定。状态T0后， CKE需要具有SSTL_18输入
的水平。一旦CKE过渡到一个较高的水平，就必须保持高的
初始化序列的持续时间。
3， A10 =全部预充电， CODE =所需的模式值
（需要的存储体地址将被解码）的寄存器。
4.稳定的电源和时钟（ CK ， CK ＃ ）后至少为200μs的，
申请NOP或取消命令，然后采取CKE高。
5.发出一个LOAD MODE命令的EMR （ 2 ） 。发出EMR （ 2 ）
命令，提供低到BA0 ，并提供高至BA1 ;集
注册E7为“0”或“1”来选择适当的自我刷新速率
其余的EMR （2）位必须是“0” （参见“扩展模式寄存器
2 （ EMR2 ） “的所有病历84页（ 2 ）的要求） 。
6.发出一个LOAD MODE命令的EMR （ 3 ） 。发出EMR （ 3 ）
命令，提供高至BA0和BA1 ;其余的EMR （3 ）位
必须是“ 0”。见“扩展模式寄存器3 （ EMR 3 ） ”第13页
所有EMR （ 3 ）的要求。
7.发出一个LOAD MODE命令到电子病历，使DLL。发行
一个DLL ENABLE命令，提供低到BA1和A0 ;提供
HIGH到BA0 ;位的E7 ， E8和E9可以被设置为“ 0”或“ 1;”奥斯汀
建议将其设置为“ 0 ，”剩下的EMR位必须是“ 0 。
“请参阅”第10页的扩展模式寄存器（ EMR ）， “对所有的电子病历
要求。
8.发出一个LOAD MODE命令到MR的DLL复位。 200
时钟输入的周期是必需的，以锁定该DLL。要发出一个DLL
RESET ，提供高至A8 ，并提供低到BA1和BA0 ;
CKE必须为高电平的整个时间的DLL被复位;剩余
MR位必须是第7页上的“0”。见“模式寄存器（ MR） ”的所有
MR的要求。
9.发出预充电所有命令。
10.发出两个或两个以上刷新命令。
11.发行一个LOAD MODE命令的MR低到A8到
初始化设备的操作（即，编程操作参数
无需重新设置DLL） 。要访问MR，设置BA0和BA1
低;剩下的MR位必须设置为想要的设置。看
所有MR要求7页的“模式寄存器（ MR） ” 。
12.发行一个LOAD MODE命令到电子病历，使OCD
默认设置比特的E7 ， E8和E9为“1 ”，然后将所有
其他所需的参数。要访问EMR ，设置低BA0
和BA1 HIGH （参见“扩展模式寄存器（ EMR ） ”第10页
所有EMR要求）。
13.发行一个LOAD MODE命令的EMR通过使OCD退出
设置比特E7， E8和E9为“0 ”，然后将所有其它所希望的
参数。要访问扩展模式寄存器， EMR ，设置
BA0 LOW和HIGH BA1所有电子病历的要求。
14. DDR2 SDRAM正在初始化，可以正常
该DLL RESET在TF0术后200个时钟周期。
15. DM代表UDM ， LDM集体对每个死去X16
配置。 DQS代表UDQS ， USQS ， LDQS ， LDQS的
每个芯片X16的配置。 DQ代表DQ0 - DQ15每个
死了X16的配置。
16.等待至少400ns的那么发出预充电所有命令。
AS4DDR264M65PBG1
修订版0.5 06/08
奥斯汀半导体公司
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奥斯汀，德克萨斯州
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512.339.1188
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6
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
