我PEM
4.2千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR264M64PBG1
64Mx64 DDR2 SDRAM W /共享控制总线
综合塑封微电路
特点
DDR2的数据速率= 667 ， 533 ， 400
可用在工业，增强和扩展温度
包装：
•
专有的一些增强模具堆积IPEM
•
208塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 16× 23毫米
•
1.00毫米球间距
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4N位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
Eightinternal银行的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式（ I / T版）
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
1.8V
±0.1V
共同的核心能力和I / O供电
可编程的CAS等待时间：3， 4，5， 6或7的
Posted CAS附加延迟： 0，1， 2 ，3，4或5
写延时=读延时 - 1 * TCK
组织为64M ×64
重量： AS4DDR264M64PBG1 〜 2.0克典型
注：自刷新模式适用于工业和增强温度。只
好处
58 ％的空间节省
49 ％的I / O减少VS个人CSP方法
减少了部件数量
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级为128M ×64密度在今后的
功能框图
斧头， BA0-2
ODT
VREF
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
VCCQ
VSSQ
VCCL
A
VSSDL
B
VCCQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
C
VCCQ
VSSQ
VCCL
VSSDL
D
CS \\
WE \\
RAS \\
CAS \\
CKE \\
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
ODT
UDMx ， LDMx
UDSQx ， UDSQx \\
LDSQx ， LDSQx \\
CKX ， CKX \\
A
DQ0-15 B
DQ16-31 ç
DQ32-47 ð
DQ48-63
AS4DDR264M64PBG1
修订版0.5 06/08
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
●
www.austinsemiconductor.com
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
