我PEM
2.1千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR232M64PBG
注意事项：
1 。接通电源;如果CKE保持在低于0.2× VCCQ ，输出
ř Ë米一I N禁用。为了保证RTT （ ODT电阻）是关闭的， VREF
必须是有效的和一个低的水平，必须施加到所述ODT球（所有
其他的输入可以是不确定的， I / O和产出一定要少
比在电压上升时间VCCQ避免DDR2 SDRAM器件
闭锁） 。至少一种下列两组条件的（甲
或B ）必须得到满足，以获得稳定的供电状态（稳定供应
定义为VCC ， VCCQ ，VREF和VTT是他们之间的
在DC工作规定的最低和最高值
条件表） ：
A. （单电源）从300mV的VCC电压斜坡
VCC （ MIN ）必须不超过200毫秒;在VCC时
斜坡电压， | VCC - VCCQ |
＆ LT ;
0.3V 。一旦电源电压
斜率结束（当VCCQ相交的VCC （MIN），直流
工作条件表规格适用。
• VCC时， VCCQ从单个电源转换器的输出驱动
• VTT被限制为0.95V MAX
• VREF跟踪VCCQ / 2 ; VREF必须在
±3V
对于
在电源斜坡时间VCCQ / 2 。
• VCCQ > VREF在任何时候都
B. （多个电源） VCC E“ VCCQ必须保持
在电源电压斜坡， AC和DC电平，直到
电源电压斜坡完成（ VCCQ跨越VCC [ MIN ] ） 。
一旦电源电压斜坡齐全，直流工作
条件表规格适用。
•之前或同时为VCCQ应用VCC ; VCC电压
斜坡时间必须是< 200毫秒从当VCC上升
为300mV到VCC （ MIN）的
•之前或同时为VTT应用VCCQ ;在VCCQ
从当VCC （ MIN） ，实现当电压上升时间
VCCQ （ MIN）的实现必须是< 500毫秒;当VCC为
斜坡，电流可以从VCC通过设备提供的
到VCCQ
• VREF必须跟踪VCCQ / 2 ， VREF必须在
±0.3V
同
对于在电源斜坡时间VCCQ / 2 ; VCCQ > VREF
必须在任何时候都必须满足
•应用VTT ;从VCCQ时的VTT电压斜坡时间
（MIN）实现到时VTT （ MIN）的实现必须是无
大于500毫秒
2.稳定的电源和时钟（ CK ， CK ＃ ）后至少200μ的S ，
申请NOP或取消命令，并采取CKE高。
3 。等待至少为400ns ，然后发出一个预充电所有命令/
4 。发出LOAD MODE命令的EMR （ 2 ） 。 （发出
EMR （ 2 ）指令，提供低到BA0 ，提供高至BA1 ）。
5.发出一个LOAD MODE命令的EMR （ 3 ） 。 （发出EMR （ 3 ）
命令，提供高至BA0和BA1 ）。
6.发出的LOAD MODE命令到电子病历，使DLL。对
发出DLL ENABLE命令，提供低到BA1和A0 ，
提供高至BA0 。位的E7 ， E8和E9可以被设置为“0”或“1” ;
美光科技公司建议将其设置为“0”。
7.问题DLL重置LOAD MODE命令。 200周期
时钟输入
需要锁定DLL 。 （要发出一个DLL复位，
提供高至A8 ，并降低至Ba1 ，并BA0 。 ） CKE
必须为高电平的整个时间。
8.发出预充电所有命令。
9.文档两个或更多的刷新命令，接着是虚设
写。
1 0 。发出低一个LOAD MODE命令A8初始化
设备操作（即编程操作参数不
复位该DLL ） 。
11 。发出LOAD MODE命令到电子病历，使OCD默认
通过设置位E7， E8和E9为“1 ”，然后将所有其它
所需的参数。
1 2 。发出LOAD MODE命令到电子病历，使OCD退出
通过设置位E7， E8和E9为“0 ”，然后将所有其它
所需的参数。
1 3 。发出低一个LOAD MODE命令A8初始化
设备操作（即编程操作参数不
复位该DLL ） 。
1 4 。发出LOAD MODE命令到电子病历，使OCD默认
通过设置位E7， E8和E9为“1 ”，然后将所有其它
所需的参数。
1 5 。发出LOAD MODE命令到电子病历，使OCD退出
通过设置位E7， E8和E9为“0 ”，然后将所有其它
所需的参数。在DDR2 SDRAM现在初始化
准备好正常运行200时钟DLL复位后（以
步骤7） 。
AS4DDR232M64PBG
修订版1.3 6/09
奥斯汀半导体公司
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