我PEM
2.1千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR232M64PBG
以下两组条件（ A或B）必须满足
获得稳定的供电状态（稳定供应DEFI定义为
V
CC
, V
CCQ
, V
REF
和V
TT
在他们之间
如Table20说明）的最大值和最小值;
A. （单电源）的V
CC
从电压斜坡
300mV的到V
CC
（ MIN ）必须不超过
200毫秒;在V中
CC
斜坡电压， | VCC - VCCQ |
± 0.3V 。一旦电源电压斜坡完成
（当V
CCQ
十字V
CC
（MIN） ） ，表20
规格适用。
• V
CC
, V
CCQ
从一个单一的电源转换器被驱动
产量
• V
TT
被限制为0.95V MAX
• V
REF
跟踪V
CCQ/2
; V
REF
必须在
± 0.3V相对于V
CCQ/2
在电源斜坡
时间
• V
CCQ
＆ GT ; V
REF
随时
B. （多个电源）V
CC
＆ GT ; V
CCQ
必须是
在电源电压斜坡保持，为
AC和DC电平，直到电源电压斜坡
完成（V
CCQ
十字V
CC
[ MIN ] ） 。一旦供应
电压斜坡是完整的，表20的规格
适用。
•应用V
CC
之前或同时作为
V
CCQ
; V
CC
电压上升时间必须是< 200毫秒
从当V
CC
坡道从300mV的到V
CC
（分钟）
•应用V
CCQ
之前或同时为V
TT
;该
V
CCQ
从当V电压斜坡上升时间
CC
（分钟）是
要实现当V
CCQ
（ MIN）的实现必须
<500ms ;而V
CC
目前正在增加，电流可
从V提供
CC
通过设备到V
CCQ
• VREF必须跟踪VCCQ / 2 ， VREF必须在
± 0.3V相对于V
CCQ/2
在电源斜坡
时间; V
CCQ
＆ GT ; V
REF
必须在任何时候都必须满足
•应用V
TT
;在V
TT
电压斜坡时间从当
V
CCQ
（MIN） ，实现对当V
TT
（ MIN）的实现
不能超过500毫秒更大
2.对于最低200
µ
后稳定的电力ND时钟S
（ CK ， CK ＃ ） ，应用NOP或取消命令和
采取CKE高。
3.等待至少为400ns ，然后发出预充电
ALL命令。
4.发出的LOAD MODE命令的EMR （ 2 ） 。 （要
发出EMR （ 2 ）指令，提供低到BA0 ，
提供高至BA1 ）。
5.发出一个LOAD MODE命令的EMR （ 3 ） 。 （要
发出EMR （ 3 ）指令，提供高至BA0和
BA1.)
6.发出的LOAD MODE命令到电子病历，使
DLL。要发出一个DLL ENABLE命令，提供低
至BA1和A0 ，提供高至BA0 。位E7 ， E8和
E9可以被设置为“0”或“1” ;美光建议设置
它们为“0” 。
7.问题DLL重置LOAD MODE命令。 200
时钟输入的周期是必需的，以锁定该DLL。 （要
发出一个DLL RESET ，提供高至A8和提供
低到BA1和BA0 ） CKE必须为高电平整个
时间。
8.发出预充电所有命令。
9.发行两个或两个以上刷新命令，随后
用虚写。
AS4DDR232M64PBG
修订版1.3 6/09
奥斯汀半导体公司
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奥斯汀，德克萨斯州
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