我PEM
2.1千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR232M64PBG
32Mx64 DDR2 SDRAM
综合塑封微电路
特点
DDR2的数据速率= 667 ， 533 ， 400
可用在工业，增强军事温度
包装：
•
255塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 25× 32毫米
•
1.27mm间距
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ），每字节
内部，流水线，双数据速率架构
4位预取架构
DLL为DQ和DQS转换与定位
时钟信号
四大银行内部的并发操作
（每DDR2 SDRAM模具）
可编程的突发长度： 4或8
自动刷新和自刷新模式
片上终端（ ODT ）
可调数据 - 输出驱动强度
1.8V ± 0.1V电源和I / O（ VCC / VCCQ ）
可编程的CAS等待时间：3， 4，5，或6
Posted CAS附加延迟：0， 1，2， 3或4
写延时=读延时 - 1 * TCK
组织为32M ×64
重量： AS4DDR232M64PBG 〜 3.5克典型
注：自刷新模式适用于工业和增强温度。只
好处
空间意识的PBGA定义，方便
SMT可制造性（ 50万焊球间距）
减少了部件数量
47 ％的I / O减少VS个人CSP方法
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
升级到64M ×64密度
（咨询工厂的信息
AS4DDR264M64PBG)
配置解决
参数
CON组fi guration
刷新计数
行地址
银行地址
列地址
32梅格X 72
8梅格×16× 4银行
8K
8K （ A0 A12 ）
4 （ BA0 BA1 ）
1K （ A0 A9 ）
功能框图
斧头， BA0-2
ODT
VREF
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
VCCL
VSSDL
CS0\
CS1\
CS2\
CS3\
UDMx ， LDMx
UDSQx ， UDSQx \\
LDSQx ， LDSQx \\
RASx \\ ， CASx \\ ， WEX \\
CKX ， CKX \\ ， CKEx
A
DQ0-15 B
DQ16-31 ç
DQ32-47
D
DQ48-63
VCCL
VSSDL
A
2
2
2
3
3
3
3
B
VCCL
VSSDL
2
2
2
3
3
C
VCCL
VSSDL
2
2
2
3
3
D
2
2
2
AS4DDR232M64PBG
修订版1.3 6/09
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
●
www.austinsemiconductor.com
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
