我PEM
1.2 GB SDRAM ， DDR
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR16M72PBG
图2 - CAS延迟
图3 - 扩展模式
注册德网络nition
T3n
BA
1
BA
0
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
地址总线
T0
T1
T2
T2n
T3
CLK
CLK
命令
读
NOP
CL = 2
NOP
NOP
01
11
经营模式
QFC ＃
DS
DLL
扩展模式
注册（防爆）
的DQ
DQ
E0
0
DLL
启用
关闭
T0
CLK
CLK
T1
T2
T2n
T3
T3n
E1
1
驱动强度
正常
减少
QFC ＃功能
残
版权所有
命令
读
NOP
CL = 2.5
NOP
NOP
0
1
E22
0
-
的DQ
DQ
E12
E11
E10 E9
E8
0
-
E7
0
-
E6
0
-
E5
0
-
E4
0
-
E3
0
-
E2, E1, E0
有效
-
经营模式
版权所有
版权所有
突发长度= 4的情况下，显示
显示与标称TAC和名义tDSDQ
数据
数据转换
不关心
0
-
0
-
0
-
0
-
1. E14和E13必须是"0 ， 1" ，选择扩展模式寄存器（与基地模式寄存器）
2.不支持QFE ＃函数。
输出驱动强度
正常的全驱动强度为所有的输出被指定为
是SSTL2 ， II类。在DDR SDRAM支持的选项
为降低驱动器。该选项用于支持
较轻的负载和/或点对点的环境。该
选择的减少驱动强度会改变的DQ
和DQSS从SSTL2 ， II级驱动强度，以减少
驱动强度，这大约是54％的
SSTL2 ， II级驱动强度。
无操作（ NOP ）
NO的操作（NOP）命令用于执行
NOP到选定的DDR SDRAM （ CS ＃为低） 。这
防止不必要的命令，从过程中被注册
空闲或等待状态。操作已经在进行中是不
的影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0-12加载。在LOAD
只能发出模式寄存器命令时，所有
银行是闲置的，而随后的可执行命令
无法发出，直至吨
MRD
得到满足。
DLL使能/禁用
该DLL必须启用正常运行。 DLL使能
在上电期间的初始化和回国后需
到正常操作具有禁用该DLL的后
调试或评估的目的。 （当器件退出自
刷新模式，该DLL会自动启用。 ）任何时间
DLL被启用， 200个时钟周期之前，必须发生
READ命令可以发出。
活跃
激活命令用于在打开（或激活）的行
用于随后的访问一个特定的银行。该值
在BA0 ， BA1输入选择银行和地址
提供输入A0-12选择行。该行仍
活性（或打开），用于直到一预充电的访问
命令被发送到该银行。预充电命令
在相同的打开不同的行之前，必须发出
银行。
COMMANDS
真值表可提供一个快速参考
命令。这之后是由每个的书面说明
命令。
DESELECT
取消选择功能（ CS ＃高）防止新
从由DDR SDRAM执行命令。该
SDRAM有效地取消。操作已
进度不受影响。
AS4DDR16M72PBG
2.1版06/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
