我PEM
1.2 GB SDRAM ， DDR
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR16M72PBG
真值表 - 命令（注1 ）
名称（功能）
DESELECT （NOP） （9）
无操作（ NOP ） （ 9 ）
ACTIVE （选择银行并激活行） （ 3 ）
READ （选择银行和列，然后开始读突发） （ 4 ）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发） （ 4 ）
BURST TERMINATE （ 8 ）
预充电（停用排在银行或银行） （ 5 ）
自动刷新或自刷新（进入自刷新模式）， （ 6,7 ）
加载模式寄存器（ 2 ）
CS ＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS ＃
X
H
L
H
H
H
L
L
L
CAS ＃
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WE＃
X
H
H
H
L
L
L
H
L
ADDR
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
真值表 - DM操作
名称（功能）
写使能（ 10 ）
写保护（ 10 ）
注意事项：
1 。 CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2 。 A0-12定义的操作码被写入到所选择的模式寄存器。
BA0 ， BA1选择的模式寄存器（ 0 ，0）或扩展模式下
寄存器（1 ，0）。
3. A0-12提供行地址和BA0 ， BA1提供银行地址。
4. A0-8提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电
功能（非持久性） ，而A10 LOW禁用自动预充电
功能; BA0 ， BA1提供银行地址。
5. A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：
所有银行预充电和BA0 ， BA1是“不在乎。 ”
DM
L
H
的DQ
有效
X
6 。此命令自动刷新，如果CKE高;如果自刷新
CKE为低。
7 。内部的刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O是
“不关心” ，除了CKE 。
8.仅适用于突发读取自动预充电禁用;此命令
是未知的（并且不应该用），用于读迸出汽车
预充电使能和写突发。
9 。 DESELECT和NOP在功能上是可以互换的。
10.用于掩蔽写数据;与相应的设置相一致
数据。
读
READ命令用于启动一个突发的读访问
对活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，并提供了对输入的地址A0-8选择
起始列位置。输入A10的值
确定自动预充电是否使用。如果
自动预充电被选择时，被访问的行
在读突发结束后将进行预充电;如果AUTO
预充电没有被选中，该行将继续开放供
后续访问。
预充电
预充电命令用于关闭打开
排在一个特定的银行或开行的所有银行。该
银行（ S）将可以在接下来的行访问的
指定时间（t
RP
）之后的预充电命令
发行。除了在并发自动预充电的情况下，
其中，一个读或写命令到不同的银行
只要它不会中断数据传输允许
目前银行并没有违反任何其他的时间
参数。输入A10确定是否一个或所有银行
都被预充电，并且在所述情况下，只有一个存储体
就是被预充电，输入BA0 ， BA1选择银行。
否则BA0 ， BA1被视为“不关心”。一旦
银行已经被预充电，它是在空闲状态和绝
在任何读取或写入的命令是之前被激活
颁发给该银行。预充电命令将被视为
作为NOP如果没有在那家银行未开行（空闲状态） ，或
如果以前打开的行是已经在过程中
预充电。
写
WRITE命令用于启动突发写入访问
对活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，并提供了对输入的地址A0-8选择
起始列位置。输入A10的值
确定自动预充电是否使用。如果
自动预充电被选择时，被访问的行
在写突发年底将进行预充电;如果AUTO
预充电没有被选中，该行将继续开放供
后续访问。出现在D / Qs的输入数据
iswritten到存储器阵列受DQM输入逻辑
水平出现一致的数据。如果一个给定的DQM信号
是注册为低电平时，对应的数据将被写入到
内存;如果DQM信号被登记HIGH时，
相应的数据输入将被忽略，并且写操作
不执行该字节/列位置。
AS4DDR16M72PBG
2.1版06/09
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
