我PEM
1.2 GB SDRAM ， DDR
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR16M72PBG
16Mx72 DDR SDRAM
综合塑封微电路
特点
DDR SDRAM数据速率= 200 ，250， 266 ， 333Mbps
包装：
•
219塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 32 x 25mm的
2.5V ± 0.2V内核电源
2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
差分时钟输入（ CLK和CLK ＃ ）
命令中输入的每个正CLK边缘
内部流水线双倍数据速率（DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
可编程突发长度： 2,4或8
双向数据选通（ DQS ）发送/接收
用数据，即，源同步数据捕捉
（每一个字节）
DQS边沿对齐与读取数据;居中对齐
与写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CLK
四大银行内部的并发操作
两个数据屏蔽（ DM ）引脚用于屏蔽写入数据
可编程IOL / IOH选项
自动预充电选项
自动刷新和自刷新模式
工业，增强型和军用温度
范围
组织为16M X 72/80
重量： AS4DDR16M72PBG = 3.50克典型
*本产品或规格如有变更，恕不另行通知..
好处
40 ％的空间节省
减少了部件数量
减少I / O数量
•
34 ％的I / O减少
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
层压板插最佳匹配TCE
可升级至32M X 72密度
(AS4DDR32M72PBG)
满足或超过了已出版的规格
白色的W3E16M72S - XBX
单芯片解决方案
O
P
T
I
O
N
S
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
集成MCP解决方案
S
A
V
I
N
G
S
22.3
25
32
区域
I / O
算
5× 265平方毫米= 1328平方毫米加
5× 66针= 320针
800mm2
219球
40+%
34 %
AS4DDR16M72PBG
2.1版06/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
