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AS29LV016TRG-100/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV016TRG-100/XT图片预览
型号: AS29LV016TRG-100/XT
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内容描述: 16兆位( 2M ×8位/ 1M ×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 40 页 / 402 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016
要求对于阅读
数组数据
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE #和OE #引脚V
IL
。 CE#为电源
控制和选择器件。 OE#为输出控制
与门阵列的数据输出管脚。 WE#应
保持在V
IH
。该BYTE #引脚决定是否
器件输出的字或字节数组中的数据。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。这
保证了内存的内容没有虚假变更
在电源转换过程中发生。没有命令
必要在该模式下,以获得阵列的数据。标准
微处理器读取周期的断言有效地址
在设备上的地址输入端上产生的有效数据
设备数据输出。该装置仍处于启用状态的读
访问,直到命令寄存器的内容被改变。
请参见阅读第17页的阵列数据的详细信息。
请参阅AC读操作第29页时机
规范和图12,第29页的时机
图。我
CC1
在DC特性表代表
有功电流规范用于读取阵列的数据。
擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门,
或整个设备。表2的第9和表3
10页表示的地址空间,每个扇区
占据。 A“扇区地址”由地址位
需要唯一地选择一个扇区。命令
第17页上的定义,对擦除扇区细节或
整个芯片,或暂停/恢复擦除
操作。
系统后写自选命令
序,器件进入自动选择模式。该
然后,系统可以从内部看自选码
寄存器(它是分开的存储器阵列)上
DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅自选模式第11页上
第17页上的自动选择命令序列的详细
信息。
I
CC2
在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。 AC
第29页上的特性包含时序规格
表和时序图,用于写操作。
写入命令/命令
序列
写一个命令或命令序列(其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区)时,系统必须驱动WE#和
CE#到V
IL
和OE #到V
IH
.
对于程序的操作, BYTE #引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。见字字节配置6页以了解更多
信息。
该器件具有一个
解锁绕道
方式,以利
更快速的编程。一旦设备进入解锁
旁路模式下,只有两个写周期都需要
编程一个字或字节,而不是四个。字字节
第18页上的程序的命令序列的详细信息
上同时使用标准的编程数据到设备
和解锁绕道命令序列。
编程和擦除
运行状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅写操作状态
有关详细信息,第22页,并交流
特色29页的时序图。
AS29LV016
2.1版10/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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