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AS29LV016JTRG-70/ET 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV016JTRG-70/ET图片预览
型号: AS29LV016JTRG-70/ET
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内容描述: 16兆位( 2M ×8位/ 1M ×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 40 页 / 408 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016J
16兆位( 2M ×8位/ 1M ×16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 〜3.6伏的读取和写入操作
电池供电应用
性能特点
高性能
存取时间快55纳秒
扩展温度范围( -40 ° C至+ 125°C )
军用温度范围( -55 ° C至+ 125°C )
在110纳米制程技术制造
用200 nm的AS29LV016完全兼容
超低功耗( 5 MHz时典型值)
安全硅行业区域
128字/ 256字节扇区永久,安全识别
通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号
通过一个命令序列访问
可被编程并锁定在工厂或由客户
0.2 μA自动睡眠模式电流
0.2 μA,待机模式下的电流
7毫安读取电流
20毫安编程/擦除电流
自行车耐力:每个部门的典型百万次
数据保存:20年典型
灵活的部门架构
一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而31 64
字节扇区(字节模式)
一个8千字,两个4千字, 1个16 K字,和31 32
K字部门(字模式)
软件特点
CFI (通用闪存接口)兼容
行业组保护功能
提供特定于设备的信息提供给系统,从而允许主机
软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
锁定机构的硬件方法,以防止任何程序或
该部门擦除操作
扇区可被锁定在系统或通过编程设备
临时机构撤消功能允许代码修改
先前锁定行业
擦除暂停/删除恢复
挂起擦除操作来读取数据,或程序数据
到,一个没有被擦除扇区,然后重新开始擦除
手术
数据#查询和翻转位
提供了检测程序或擦除操作软件的方法
竣工
解锁绕道程序命令
降低发行多个程序时,整个编程的时间
命令序列
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
提供顶部或底部启动块配置
与JEDEC标准兼容
引脚排列和软件,单电源闪存兼容
高级无意写保护
提供了检测编程或擦除周期硬件方法
竣工
硬件复位引脚( RESET # )
封装选项
48针TSOP
硬件的方法来将设备重置读取阵列数据
WP #输入引脚
对于引导扇区的设备:在V
IL
,保护一个或最后一个16字节
部门根据启动配置(上启动或底部启动)
AS29LV016J
修订版0.0 02/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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