COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016J
概述
该AS29LV016J是16兆， 3.0伏只闪存
组织为2,097,152字节或1,048,576字。该装置
在一个48引脚TSOP封装提供。在字宽数据
（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;出现的字节宽的（x8）数据
在DQ7 - DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V
V
PP
或5.0 V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以在标准EPROM编程
程序员。
该器件提供55 ns访问时间允许高速
微处理器无需等待状态运行。为了消除
总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
为
读取和写入功能。内部生成的，
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
该AS29LV016J完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
COMMANDS
被写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，用于控制擦除
和编程电路。写周期也在内部锁存
所需的编程和擦除操作的地址和数据
操作。读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部算法，可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的编程时间
通过要求只有两个写周期编程数据，而不是
4 。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的
内部算法自动preprograms阵列
（如果它尚未编程）执行擦除前
操作。在擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后，通过观察RY / BY ＃引脚，或由
阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）
状态
位。
后一个程序或擦除周期已经完成，该
设备已准备好读取阵列数据或接受其它
命令。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据的内容
其他部门。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的内存部门。这可以实现
在系统或通过编程设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使用户
把擦除搁置任何一段时间内读取数据，
或程序的数据，即不选择擦除任何部门。
真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备，
使系统微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
该器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
该器件进入
自动休眠模式。
该系统
还可以将设备插入
待机模式。
动力
消耗在这两种模式下大大降低。
ASI结合多年的闪存制造
经验以生产高质量，高可靠性的最高水平
和成本效益。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。的数据是使用热电子编程
注入。
AS29LV016J
修订版0.0 02/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
